Đặc điểm của lớp phủ lắng đọng bằng phương pháp phún xạ magnetron, chương 2

Trong bài viết trước, chúng ta đã nói về đặc điểm của lớp phủ lắng đọng bằng phương pháp phún xạ, và bài viết này sẽ tiếp tục giải thích về đặc điểm của lớp phủ lắng đọng bằng phương pháp phún xạ.

(4) Nhiệt độ chất nền thấp. Tốc độ bắn phá cao do nồng độ electron cao trong vùng từ trường của mục tiêu catốt, tức là trong một khu vực cục bộ nhỏ trên đường phóng điện của mục tiêu, và bên ngoài vùng tác động của từ trường, đặc biệt là gần bề mặt chất nền cách xa từ trường, nồng độ electron thấp hơn nhiều do sự phân kỳ, và thậm chí có thể thấp hơn so với bắn phá nhị phân (vì áp suất khí hoạt động của hai quá trình khác nhau một bậc độ lớn). Do đó, trong điều kiện bắn phá, nồng độ electron trên bề mặt chất nền bị bắn phá thấp hơn nhiều so với bắn phá thứ cấp thông thường, và tránh được sự gia tăng quá mức nhiệt độ chất nền do số lượng electron trong chất nền tới giảm. Ngoài ra, trong phương pháp lắng đọng phún xạ, cực dương của thiết bị phún xạ có thể được đặt xung quanh cực âm, và khung đế cũng có thể được giữ ở điện thế lơ lửng, sao cho các electron có thể chảy qua cực dương mà không đi qua khung đế được nối đất, nhờ đó làm giảm các electron năng lượng cao bắn phá chất nền được mạ, giảm sự gia tăng nhiệt độ của chất nền do sự va chạm của electron, và giảm đáng kể nhiệt lượng sinh ra do sự bắn phá thứ cấp của các electron lên chất nền.

(5) Khắc mục tiêu không đồng đều. Trong mục tiêu phún xạ truyền thống, từ trường không đồng nhất được sử dụng, do đó plasma sẽ tạo ra hiệu ứng hội tụ cục bộ, làm cho tốc độ khắc phún xạ tại vị trí cục bộ trên mục tiêu cực kỳ lớn, và kết quả là sẽ dẫn đến việc khắc mục tiêu không đồng đều đáng kể. Tỷ lệ sử dụng vật liệu mục tiêu thường chỉ khoảng 30%. Để cải thiện tỷ lệ sử dụng vật liệu mục tiêu, có thể thực hiện nhiều biện pháp cải tiến khác nhau, chẳng hạn như cải thiện hình dạng và sự phân bố của từ trường mục tiêu, sao cho nam châm di chuyển bên trong cực âm của mục tiêu.

(6) Việc bắn phá mục tiêu vật liệu từ tính rất khó khăn. Nếu mục tiêu bắn phá được làm bằng vật liệu có độ thẩm thấu từ cao, các đường sức từ sẽ đi qua trực tiếp, v.v. Hiện tượng đoản mạch từ xảy ra bên trong mục tiêu, khiến việc phóng điện trở nên khó khăn. Để tạo ra từ trường không gian, nhiều nghiên cứu đã được thực hiện, ví dụ như bão hòa từ trường bên trong mục tiêu, để lại nhiều khe hở trên mục tiêu để thúc đẩy nó tạo ra nhiều từ rò rỉ hơn nhằm tăng nhiệt độ của mục tiêu, hoặc giảm độ thẩm thấu từ của mục tiêu.

– Bài viết này được phát hành bởiNhà sản xuất máy phủ chân khôngQuảng Đông Chấn Hoa