मागील लेखात आपण स्पटरिंग कोटिंग्सच्या वैशिष्ट्यांबद्दल चर्चा केली आणि या लेखात स्पटरिंग कोटिंग्सच्या वैशिष्ट्यांचे स्पष्टीकरण पुढे चालू ठेवले जाईल.
(4) सबस्ट्रेटचे तापमान कमी असते. स्पटरिंगचा दर जास्त असतो कारण कॅथोड टार्गेटच्या चुंबकीय क्षेत्र क्षेत्रात, म्हणजेच टार्गेट डिस्चार्ज रनवेवरील एका लहान स्थानिक क्षेत्रात, इलेक्ट्रॉनची घनता जास्त असते आणि चुंबकीय क्रिया क्षेत्राच्या बाहेर, विशेषतः चुंबकीय क्षेत्रापासून दूर असलेल्या सबस्ट्रेटच्या पृष्ठभागाजवळ, अपसरणामुळे इलेक्ट्रॉनची घनता खूपच कमी असते आणि ती बायनरी स्पटरिंगपेक्षाही कमी असू शकते (कारण दोन्हींमधील कार्यरत वायूचा दाब एका परिमाणाच्या क्रमाने भिन्न असतो). त्यामुळे, स्पटरिंगच्या परिस्थितीत, आघात झालेल्या सबस्ट्रेटच्या पृष्ठभागावरील इलेक्ट्रॉनची घनता सामान्य सेकंडरी स्पटरिंगपेक्षा खूपच कमी असते आणि आपाती सबस्ट्रेटमधील इलेक्ट्रॉनची संख्या कमी झाल्यामुळे सबस्ट्रेटच्या तापमानात होणारी अत्यधिक वाढ टाळली जाते. याव्यतिरिक्त, स्पटरिंग पद्धतीमध्ये, स्पटरिंग उपकरणाचा ॲनोड कॅथोडच्या जवळ ठेवला जाऊ शकतो आणि सबस्ट्रेट फ्रेम देखील निलंबित विभवावर ठेवली जाऊ शकते, जेणेकरून इलेक्ट्रॉन ग्राउंड केलेल्या सबस्ट्रेट फ्रेममधून न जाता ॲनोडमधून वाहून जाऊ शकतील. यामुळे, प्लेटेड सबस्ट्रेटवर आदळणाऱ्या उच्च-ऊर्जा इलेक्ट्रॉन्सचे प्रमाण कमी होते, इलेक्ट्रॉनच्या आघातामुळे होणारी सबस्ट्रेटच्या उष्णतेतील वाढ कमी होते आणि सबस्ट्रेटवर होणाऱ्या दुय्यम इलेक्ट्रॉन आघातामुळे निर्माण होणारी उष्णता मोठ्या प्रमाणात कमी होते.
(5) लक्ष्याचे असमान एचिंग. पारंपरिक स्पटरिंग लक्ष्यामध्ये, एक विषम चुंबकीय क्षेत्र वापरले जाते, त्यामुळे प्लाझ्मा स्थानिक अभिसरण प्रभाव निर्माण करतो, ज्यामुळे लक्ष्यावरील स्थानिक स्थानाचा स्पटरिंग एचिंग दर अत्यंत जास्त होतो आणि परिणामी लक्ष्यावर लक्षणीय असमान एचिंग होते. लक्ष्य सामग्रीचा उपयोगिता दर साधारणपणे ३०% असतो. लक्ष्य सामग्रीचा उपयोगिता दर सुधारण्यासाठी, विविध सुधारणा उपाययोजना केल्या जाऊ शकतात, जसे की लक्ष्य चुंबकीय क्षेत्राचा आकार आणि वितरण सुधारणे, जेणेकरून चुंबक लक्ष्य कॅथोडच्या आत फिरेल.
(6) चुंबकीय पदार्थाच्या लक्ष्यावर स्पटरिंग करणे कठीण असते. जर स्पटरिंग लक्ष्य उच्च चुंबकीय पारगम्यता असलेल्या पदार्थापासून बनवलेले असेल, तर चुंबकीय क्षेत्र रेषा थेट आरपार जातील इत्यादी. लक्ष्याच्या आत चुंबकीय शॉर्ट सर्किट होते, ज्यामुळे डिस्चार्ज करणे कठीण होते. अवकाशीय चुंबकीय क्षेत्र निर्माण करण्यासाठी, विविध अभ्यास केले गेले आहेत, उदाहरणार्थ, लक्ष्याच्या आत चुंबकीय क्षेत्र संतृप्त करणे, लक्ष्यावर अनेक पोकळ्या सोडून अधिक लीकेज मॅग्नेटिझम निर्माण करण्यास प्रोत्साहन देणे, ज्यामुळे लक्ष्याचे तापमान वाढते, किंवा लक्ष्याची चुंबकीय पारगम्यता कमी करणे.
हा लेख यांनी प्रसिद्ध केला आहेव्हॅक्यूम कोटिंग मशीन उत्पादकग्वांगडोंग झेन्हुआ
पोस्ट करण्याची वेळ: ०८-सप्टेंबर-२०२३