במאמר הקודם דיברנו על מאפייני ציפויי ההתזה, ומאמר זה ימשיך להסביר את מאפייני ציפויי ההתזה.
(4) טמפרטורת המצע נמוכה. קצב ההתזה של ההתזה גבוה מכיוון שריכוז האלקטרונים גבוה בתוך אזור השדה המגנטי של מטרת הקתודה, כלומר, באזור מקומי קטן על מסלול פריקת המטרה, ומחוץ לאזור הפעולה המגנטית, במיוחד ליד פני המצע הרחק מהשדה המגנטי, ריכוז האלקטרונים נמוך בהרבה עקב דיברגנציה, ואף עשוי להיות נמוך מזה של התזה בינארית (מכיוון שלחץ הגז הפועל של השניים שונה בסדר גודל). לכן, בתנאי התזה, ריכוז האלקטרונים על פני המצע המופגז נמוך בהרבה מזה של התזה משנית רגילה, ונמנעת עלייה מוגזמת בטמפרטורת המצע עקב ירידה במספר האלקטרונים במצע הפוגע. בנוסף, בשיטת ההתזה, ניתן למקם את האנודה של התקן ההתזה סביב הקתודה, וגם את מסגרת המצע ניתן למקם בפוטנציאל תלוי, כך שאלקטרונים יכולים לזרום דרך האנודה מבלי לעבור דרך מסגרת המצע המקורקעת, ובכך להפחית את כמות האלקטרונים בעלי האנרגיה הגבוהה שמפגיצים את המצע המצופה, להפחית את העלייה בחום המצע הנגרמת כתוצאה מפליטת אלקטרונים, ולהפחית מאוד את החום הנגרם כתוצאה מהפגזת אלקטרונים משנית של המצע.
(5) איכול לא אחיד של המטרה. במטרה המותזת המסורתית, נעשה שימוש בשדה מגנטי לא הומוגני, כך שהפלזמה תייצר אפקט התכנסות מקומי, מה שיגרום לקצב איכול המותזת של המיקום המקומי על המטרה להיות גדול במיוחד, והתוצאה תהיה איכול לא אחיד משמעותי על המטרה. שיעור הניצול של חומרי המטרה הוא בדרך כלל כ-30%. על מנת לשפר את שיעור הניצול של חומר המטרה, ניתן לנקוט באמצעי שיפור שונים, כגון שיפור הצורה והפיזור של השדה המגנטי של המטרה, כך שהמגנט ינוע בתוך הקתודה של המטרה.
(6) התזה של מטרה בחומר מגנטי היא קשה. אם מטרת ההתזה עשויה מחומר בעל חדירות מגנטית גבוהה, קווי השדה המגנטי יעברו ישירות וכן הלאה. קצר מגנטי מתרחש בתוך המטרה, מה שמקשה על פריקה. על מנת ליצור שדה מגנטי מרחבי, נערכו מחקרים שונים, למשל, רוויה של השדה המגנטי בתוך המטרה, והשארת פערים רבים במטרה כדי לעודד אותה לייצר מגנטיות דליפה נוספת שתעלה את טמפרטורת המטרה, או תפחית את החדירות המגנטית של המטרה.
– מאמר זה פורסם על ידייצרן מכונות ציפוי ואקוםגואנגדונג ז'נהואה
זמן פרסום: 8 בספטמבר 2023