پوئين مضمون ۾، اسان اسپٽرنگ ڪوٽنگ جي خاصيتن بابت ڳالهايو، ۽ هي مضمون اسپٽرنگ ڪوٽنگ جي خاصيتن جي وضاحت جاري رکندو.
(4) سبسٽريٽ جو گرمي پد گهٽ آهي. اسپٽرنگ جي اسپٽرنگ جي شرح وڌيڪ آهي ڇاڪاڻ ته اليڪٽرانن جو ڪنسنٽريشن ڪيٿوڊ ٽارگيٽ جي مقناطيسي فيلڊ علائقي اندر وڌيڪ آهي، يعني، ٽارگيٽ ڊسچارج رن وي تي هڪ ننڍڙي مقامي علائقي ۾، ۽ مقناطيسي عمل واري علائقي کان ٻاهر، خاص طور تي مقناطيسي فيلڊ کان پري سبسٽريٽ جي مٿاڇري جي ويجهو، اليڪٽران جو ڪنسنٽريشن ڊورجن جي ڪري تمام گهٽ آهي، ۽ بائنري اسپٽرنگ کان به گهٽ ٿي سگهي ٿو (ڇاڪاڻ ته ٻنهي جو آپريٽنگ گئس پريشر شدت جو هڪ حڪم مختلف آهي). تنهن ڪري، اسپٽرنگ جي حالتن هيٺ، بمباري ٿيل سبسٽريٽ جي مٿاڇري تي اليڪٽران جو ڪنسنٽريشن عام ثانوي اسپٽرنگ جي ڀيٽ ۾ تمام گهٽ آهي، ۽ سبسٽريٽ جي درجه حرارت ۾ تمام گهڻي واڌ کان بچيل آهي ڇاڪاڻ ته واقعي سبسٽريٽ ۾ اليڪٽرانن جي تعداد ۾ گهٽتائي سبب. ان کان علاوه، اسپٽرنگ جي طريقي ۾، اسپٽرنگ ڊيوائس جو اينوڊ ڪيٿوڊ جي چوڌاري واقع ٿي سگهي ٿو، ۽ سبسٽريٽ فريم پڻ ٿي سگهي ٿو ۽ معطل ٿيل صلاحيت تي، ته جيئن اليڪٽران گرائونڊ ٿيل سبسٽريٽ فريم مان گذرڻ کان سواءِ انوڊ ذريعي وهي سگهن، انهي ڪري پليٽ ٿيل سبسٽريٽ تي بمباري ڪندڙ اعليٰ توانائي وارا اليڪٽران گهٽجي وڃن ٿا، اليڪٽران جي واقعن جي ڪري سبسٽريٽ گرمي ۾ واڌ کي گهٽجي وڃي ٿو، ۽ سبسٽريٽ جي ثانوي اليڪٽران بمباري جي ڪري پيدا ٿيندڙ گرمي کي تمام گهڻو گهٽجي وڃي ٿو.
(5) نشانو جي غير مساوي ايچنگ. روايتي اسپٽرنگ ٽارگيٽ ۾، هڪ غير هم جنس مقناطيسي ميدان استعمال ڪيو ويندو آهي، تنهنڪري پلازما هڪ مقامي ڪنورجنس اثر پيدا ڪندو، جيڪو نشانو تي مقامي پوزيشن جي اسپٽرنگ ايچنگ جي شرح کي تمام وڏو بڻائيندو، ۽ نتيجو نشانو تي اهم غير مساوي ايچنگ هوندو. نشانو مواد جي استعمال جي شرح عام طور تي تقريبن 30٪ آهي. ٽارگيٽ مواد جي استعمال جي شرح کي بهتر بڻائڻ لاءِ، مختلف بهتري جا اپاءَ ورتا وڃن ٿا، جهڙوڪ نشانو مقناطيسي ميدان جي شڪل ۽ ورڇ کي بهتر بڻائڻ، ته جيئن مقناطيس نشانو ڪيٿوڊ جي اندر منتقل ٿئي.
(6) مقناطيسي مواد جي نشانن کي ڦاسائڻ ڏکيو آهي. جيڪڏهن ڦاسائڻ وارو نشانو ڪنهن اهڙي مواد مان ٺهيل هجي جنهن ۾ اعليٰ مقناطيسي پارگميتا هجي، ته مقناطيسي ميدان جون لائينون سڌو سنئون گذري وينديون ۽ ائين ئي. نشانن جي اندر هڪ مقناطيسي شارٽ سرڪٽ ٿئي ٿو، جنهن ڪري خارج ٿيڻ ڏکيو ٿي پوي ٿو. هڪ مقامي مقناطيسي ميدان پيدا ڪرڻ لاءِ، مختلف مطالعي ڪيا ويا آهن، مثال طور، نشانن جي اندر مقناطيسي ميدان کي سير ڪرڻ، نشانن تي ڪيترائي خلا ڇڏڻ سان ان کي وڌيڪ رساو مقناطيسيت پيدا ڪرڻ لاءِ فروغ ڏنو ويو آهي ته جيئن نشانن جو گرمي پد وڌي سگهي، يا نشانن جي مقناطيسي پارگميتا گهٽجي وڃي.
- هي مضمون شايع ٿيل آهيويڪيوم ڪوٽنگ مشين ٺاهيندڙگوانگڊونگ زينوا
پوسٽ جو وقت: سيپٽمبر-08-2023