Die Anlage verfügt über eine vertikale Fronttürstruktur und ein Cluster-Layout. Sie kann mit Verdampfungsquellen für Metalle und verschiedene organische Materialien ausgestattet werden und Siliziumwafer unterschiedlicher Spezifikationen verdampfen. Dank des präzisen Ausrichtungssystems ist die Beschichtung stabil und weist eine hohe Wiederholgenauigkeit auf.
Die Beschichtungsanlage GX600 ermöglicht die präzise, gleichmäßige und kontrollierte Aufdampfung organischer Leuchtmaterialien oder Metalle auf das Substrat. Sie zeichnet sich durch einfache Filmbildung, hohe Reinheit und hohe Dichte aus. Das vollautomatische Echtzeit-Überwachungssystem der Filmdicke gewährleistet die Wiederholbarkeit und Stabilität des Prozesses. Dank der Selbstschmelzfunktion wird die Abhängigkeit von den Fähigkeiten des Bedieners reduziert.
Die Anlage kann auf Cu, Al, Co, Cr, Au, Ag, Ni, Ti und andere Metallmaterialien angewendet werden und kann mit Metallfilmen, dielektrischen Schichten, IMD-Filmen usw. beschichtet werden. Sie wird hauptsächlich in der Halbleiterindustrie eingesetzt, z. B. bei Leistungsbauelementen, der Beschichtung von Substraten für die Rückseitenverpackung von Halbleitern usw.
| GX600 | GX900 |
| φ600*800 (mm) | φ900*H1050(mm) |