၁။ အလုပ်ခွင်ဘက်လိုက်မှု နည်းပါးသည်
ionization rate တိုးမြှင့်ရန် device တစ်ခုထည့်သွင်းခြင်းကြောင့် discharge current density တိုးလာပြီး bias voltage သည် 0.5~1kV အထိ လျော့ကျသွားသည်။
မြင့်မားသောစွမ်းအင်အိုင်းယွန်းများကို အလွန်အကျွံဗုံးကြဲခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော နောက်ပြန်ပွတ်တိုက်မှုနှင့် အလုပ်မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ပျက်စီးမှုအကျိုးသက်ရောက်မှုကို လျော့နည်းစေသည်။
၂။ ပလာစမာသိပ်သည်းဆ မြင့်တက်လာခြင်း
collision ionization ကို မြှင့်တင်ရန် နည်းလမ်းအမျိုးမျိုးကို ထည့်သွင်းထားပြီး သတ္တု ionization နှုန်းသည် 3% မှ 15% ကျော်အထိ မြင့်တက်လာခဲ့သည်။ အပေါ်ယံလွှာရှိ chin ion များနှင့် မြင့်မားသောစွမ်းအင်ကြားနေအက်တမ်များ၊ နိုက်ထရိုဂျင်အိုင်းယွန်းများ၊ မြင့်မားသောစွမ်းအင်တက်ကြွသောအက်တမ်များနှင့် တက်ကြွသောအုပ်စုများ၏ သိပ်သည်းဆ မြင့်တက်လာပြီး ၎င်းသည် ဒြပ်ပေါင်းများဖွဲ့စည်းရန် ဓာတ်ပြုမှုကို အထောက်အကူပြုသည်။ အထက်ဖော်ပြပါ မြှင့်တင်ထားသော glow discharge ion coating နည်းပညာအမျိုးမျိုးသည် plasma သိပ်သည်းဆမြင့်မားသော ဓာတ်ပြုမှု deposition ဖြင့် TN hard film အလွှာများကို ရရှိနိုင်ခဲ့သော်လည်း ၎င်းတို့သည် glow discharge အမျိုးအစားဖြစ်သောကြောင့် discharge current density သည် လုံလောက်စွာ မမြင့်မားပါ (mA/cm2 အဆင့်တွင် ရှိနေပါ) နှင့် ಒಟ್ಟಾರೆ plasma သိပ်သည်းဆသည် လုံလောက်စွာ မမြင့်မားပါနှင့်၊ ဓာတ်ပြုမှု deposition compound coating လုပ်ငန်းစဉ်သည် ခက်ခဲပါသည်။
၃။ အမှတ်ရေငွေ့ပျံအရင်းအမြစ်၏ အပေါ်ယံလွှာအကွာအဝေးသည် သေးငယ်သည်
မြှင့်တင်ထားသော အိုင်းယွန်းအပေါ်ယံလွှာနည်းပညာအမျိုးမျိုးသည် အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည်အငွေ့ပျံခြင်းရင်းမြစ်များနှင့် gantu ကို အမှတ်အငွေ့ပျံခြင်းရင်းမြစ်အဖြစ် အသုံးပြုကြပြီး ၎င်းသည် ဓာတ်ပြုမှုစုပုံခြင်းအတွက် gantu အထက် အတိုင်းအတာတစ်ခုအထိ ကန့်သတ်ထားသောကြောင့် ထုတ်လုပ်မှုနည်းပါးပြီး လုပ်ငန်းစဉ်သည် ခက်ခဲပြီး စက်မှုလုပ်ငန်းအသုံးပြုရန် ခက်ခဲပါသည်။
၄။ အီလက်ထရွန်းနစ်သေနတ်ဖြင့် မြင့်မားသောဖိအားဖြင့် လည်ပတ်ခြင်း
အီလက်ထရွန်သေနတ်ဗို့အားမှာ 6~30kV ဖြစ်ပြီး၊ workpiece bias ဗို့အားမှာ 0.5~3kV ဖြစ်ကာ၊ ၎င်းသည် မြင့်မားသောဗို့အားလည်ပတ်မှုနှင့်သက်ဆိုင်ပြီး ဘေးကင်းရေးအန္တရာယ်အချို့ရှိသည်။
——ဤဆောင်းပါးကို Guangdong Zhenhua Technology မှ ထုတ်ဝေခဲ့သည်။optical coating စက်များထုတ်လုပ်သူ.
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၃ ခုနှစ်၊ မေလ ၁၂ ရက်