1. D'Verzerrung vum Werkstéck ass niddreg
Duerch den Zousaz vun engem Apparat fir d'Ioniséierungsquote ze erhéijen, gëtt d'Entladungsstroumdicht erhéicht an d'Biasspannung op 0,5~1 kV reduzéiert.
D'Récksputtering, déi duerch exzessivt Bombardement vun héichenergetischen Ionen verursaacht gëtt, an den Effekt op d'Uewerfläch vum Werkstéck gi reduzéiert.
2. Erhéicht Plasmadicht
Verschidde Moossname fir d'Kollisiounsioniséierung ze fërderen, goufen bäigefüügt, an d'Metallioniséierungsquote ass vun 3% op méi wéi 15% eropgaang. D'Dicht vun de Chin-Ionen an den héichenergeteschen neutralen Atomer, Stéckstoffionen, héichenergeteschen aktiven Atomer an aktiven Gruppen an der Beschichtungskammer ass eropgaang, wat d'Reaktioun zur Bildung vu Verbindungen förderlech mécht. Déi uewe genannten, verbessert Glühionenbeschichtungstechnologien konnten TN-Hartfilmschichten duerch Reaktiounsoflagerung bei méi héije Plasmadichten kréien, awer well se zum Glühionenbeschichtungstyp gehéieren, ass d'Entladungsstroumdicht net héich genuch (ëmmer nach ëmmer mA/cm2-Niveau), an déi allgemeng Plasmadicht ass net héich genuch, an de Prozess vun der Reaktiounsoflagerungsverbindungsbeschichtung ass schwéier.
3. De Beschichtungsberäich vun der Punktverdampfungsquell ass kleng
Verschidde verbessert Ionenbeschichtungstechnologien benotzen Elektronestrahlverdampfungsquellen a Gantu als Punktverdampfungsquell, déi fir d'Reaktiounsoflagerung op e bestëmmten Intervall iwwer Gantu limitéiert ass, sou datt d'Produktivitéit niddreg ass, de Prozess schwéier ass an et schwéier ze industrialiséieren ass.
4. Betrieb vun der elektronescher Héichdrockpistoul
D'Elektronekanounspannung ass 6~30kV, an d'Virspannung vum Werkstéck ass 0,5~3kV, wat zum Héichspannungsbetrieb gehéiert a bestëmmt Sécherheetsrisiken huet.
——Dësen Artikel gouf vu Guangdong Zhenhua Technology publizéiert, engerHiersteller vun optesche Beschichtungsmaschinnen.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 12. Mee 2023