Բարելավված լուսարձակման իոնային ծածկույթի տեխնոլոգիայի ընդհանուր առանձնահատկությունները

1. Աշխատանքային մասի թեքությունը ցածր է

Իոնացման արագությունը մեծացնելու համար սարքի ավելացման շնորհիվ, լիցքաթափման հոսանքի խտությունը մեծանում է, իսկ շեղման լարումը նվազում է մինչև 0.5~1 կՎ։

Բարձր էներգիայի իոնների չափազանց ռմբակոծության հետևանքով առաջացած հետադարձ փոշիացումը և աշխատանքային մասի մակերեսին հասցվող վնասը նվազում են։

2. Պլազմայի խտության բարձրացում

Ավելացվել են բախման իոնացումը խթանող տարբեր միջոցառումներ, և մետաղի իոնացման արագությունը 3%-ից աճել է մինչև ավելի քան 15%: Ծածկույթի խցիկում չինային իոնների և բարձր էներգիայի չեզոք ատոմների, ազոտի իոնների, բարձր էներգիայի ակտիվ ատոմների և ակտիվ խմբերի խտությունը մեծանում է, ինչը նպաստում է միացություններ առաջացնող ռեակցիային: Վերոնշյալ տարբեր ուժեղացված լուսարձակման իոնային ծածկույթի տեխնոլոգիաները հնարավորություն են տվել ստանալ TN կոշտ թաղանթային շերտեր՝ ավելի բարձր պլազմային խտություններով ռեակցիայի նստեցման միջոցով, բայց քանի որ դրանք պատկանում են լուսարձակման տեսակին, լիցքաթափման հոսանքի խտությունը բավականաչափ բարձր չէ (դեռևս mA/cm2 մակարդակ), և ընդհանուր պլազմայի խտությունը բավականաչափ բարձր չէ, և ռեակցիայի նստեցման միացությունների ծածկույթի գործընթացը դժվար է:

3. Կետային գոլորշիացման աղբյուրի ծածկույթի միջակայքը փոքր է

Իոնային ծածկույթի տարբեր բարելավված տեխնոլոգիաներ օգտագործում են էլեկտրոնային ճառագայթային գոլորշիացման աղբյուրներ, իսկ գանտուը՝ որպես կետային գոլորշիացման աղբյուր, որը սահմանափակվում է գանտուից որոշակի միջակայքով՝ ռեակցիայի նստեցման համար, ուստի արտադրողականությունը ցածր է, գործընթացը՝ դժվար, և դժվար է այն արդյունաբերականացնել։

4. Էլեկտրոնային ատրճանակի բարձր ճնշման շահագործում

Էլեկտրոնային ատրճանակի լարումը 6~30 կՎ է, իսկ աշխատանքային մասի շեղման լարումը՝ 0.5~3 կՎ, որը վերաբերում է բարձր լարման շահագործմանը և ունի որոշակի անվտանգության վտանգներ։

——Այս հոդվածը հրապարակվել է Guangdong Zhenhua Technology-ի կողմից, որըօպտիկական ծածկույթների մեքենաների արտադրող.