1. वर्कपीस का पूर्वाग्रह कम है
आयनीकरण दर को बढ़ाने के लिए एक उपकरण को जोड़ने के कारण, निर्वहन वर्तमान घनत्व बढ़ जाता है, और पूर्वाग्रह वोल्टेज 0.5 ~ 1kV तक कम हो जाता है।
उच्च ऊर्जा आयनों की अत्यधिक बमबारी के कारण होने वाली बैकस्पटरिंग और वर्कपीस सतह पर होने वाले नुकसान के प्रभाव को कम किया जाता है।
2. प्लाज़्मा घनत्व में वृद्धि
टकराव आयनीकरण को बढ़ावा देने के लिए विभिन्न उपायों को जोड़ा गया है, और धातु आयनीकरण दर 3% से बढ़कर 15% से अधिक हो गई है। कोटिंग कक्ष में चिन आयनों और उच्च ऊर्जा तटस्थ परमाणुओं, नाइट्रोजन आयनों, उच्च ऊर्जा सक्रिय परमाणुओं और सक्रिय समूहों का घनत्व बढ़ जाता है, जो यौगिक बनाने के लिए प्रतिक्रिया के लिए अनुकूल है। उपरोक्त विभिन्न संवर्धित ग्लो डिस्चार्ज आयन कोटिंग तकनीकें उच्च प्लाज्मा घनत्व पर प्रतिक्रिया जमाव द्वारा टीएन हार्ड फिल्म परतों को प्राप्त करने में सक्षम हैं, लेकिन क्योंकि वे ग्लो डिस्चार्ज प्रकार से संबंधित हैं, इसलिए डिस्चार्ज वर्तमान घनत्व पर्याप्त नहीं है (अभी भी mA / cm2 स्तर), और समग्र प्लाज्मा घनत्व पर्याप्त नहीं है, और प्रतिक्रिया जमाव यौगिक कोटिंग की प्रक्रिया मुश्किल है।
3. बिंदु वाष्पीकरण स्रोत की कोटिंग रेंज छोटी है
विभिन्न उन्नत आयन कोटिंग प्रौद्योगिकियां इलेक्ट्रॉन बीम वाष्पीकरण स्रोतों का उपयोग करती हैं, और गेंटू को एक बिंदु वाष्पीकरण स्रोत के रूप में उपयोग करती हैं, जो प्रतिक्रिया जमाव के लिए गेंटू के ऊपर एक निश्चित अंतराल तक सीमित है, इसलिए उत्पादकता कम है, प्रक्रिया कठिन है, और इसका औद्योगिकीकरण करना मुश्किल है।
4. इलेक्ट्रॉनिक बंदूक उच्च दबाव संचालन
इलेक्ट्रॉन गन वोल्टेज 6 ~ 30kV है, और वर्कपीस बायस वोल्टेज 0.5 ~ 3kV है, जो उच्च वोल्टेज ऑपरेशन से संबंधित है और इसमें कुछ सुरक्षा खतरे हैं।
——यह लेख गुआंग्डोंग झेनहुआ टेक्नोलॉजी द्वारा जारी किया गया था,ऑप्टिकल कोटिंग मशीनों के निर्माता.
पोस्ट करने का समय: मई-12-2023