မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတ္တာနှင့် ကက်သိုဒစ် မာလ်တီ-အာ့ခ် အိုင်းယွန်း အပေါ်ယံလွှာ ပေါင်းစပ်နည်းပညာ

မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတ္တာရည်နှင့် ကက်သိုဒစ် မျိုးစုံ-အိုင်းယွန်း မျိုးစုံ အပေါ်ယံလွှာတို့၏ ပေါင်းစပ် အပေါ်ယံလွှာ ကိရိယာများသည် သီးခြားစီနှင့် တစ်ပြိုင်နက်တည်း အလုပ်လုပ်နိုင်သည်။ သန့်စင်သော သတ္တုဖလင်၊ သတ္တု ဒြပ်ပေါင်း ဖလင် သို့မဟုတ် ပေါင်းစပ် ဖလင်ကို အပ်နှံပြီး ပြင်ဆင်နိုင်သည်။ ဖလင်အလွှာတစ်ခုတည်းနှင့် အလွှာများစွာ ပေါင်းစပ် ဖလင် ဖြစ်နိုင်သည်။

၎င်း၏ အားသာချက်များမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။
၎င်းသည် မတူညီသော အိုင်းယွန်းအပေါ်ယံလွှာများ၏ အားသာချက်များကို ပေါင်းစပ်ပြီး အသုံးချမှုနယ်ပယ်အမျိုးမျိုးအတွက် ပါးလွှာသောဖလင်များ ပြင်ဆင်ခြင်းနှင့် အနည်ထိုင်ခြင်းကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားရုံသာမက တစ်ချိန်တည်းတွင် တူညီသော ဖုန်စုပ်ခန်းတွင် အလွှာများစွာပါသော monolithic ဖလင်များ သို့မဟုတ် အလွှာများစွာပါသော composite ဖလင်များကို အနည်ထိုင်ခြင်းနှင့် ပြင်ဆင်ခြင်းကိုလည်း ခွင့်ပြုပါသည်။
အပ်နှံထားသော ဖလင်အလွှာများ၏ အသုံးချမှုများကို ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုကြပြီး ၎င်း၏နည်းပညာများသည် ပုံစံအမျိုးမျိုးဖြင့် ရှိပြီး၊ ပုံမှန်ပုံစံများမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။
(1) မညီမျှမှုမရှိသော မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတ္တာနှင့် ကက်သိုဒစ် အိုင်းယွန်း ပြားခြင်း နည်းပညာတို့၏ ဒြပ်ပေါင်း။
၎င်း၏ ကိရိယာကို အောက်ပါအတိုင်း ပြသထားသည်။ ၎င်းသည် columnar magnetron target နှင့် planar cathodic arc ion coating ပါဝင်သော compound coating ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်ပြီး tool coating compound film နှင့် decorative film coating နှစ်မျိုးလုံးအတွက် သင့်လျော်သည်။ tool coating အတွက် cathodic arc ion coating ကို base layer coating အတွက် ဦးစွာအသုံးပြုပြီးနောက် column magnetron target ကို nitride နှင့် အခြား film layer များ စုပုံရန်အတွက် အသုံးပြုပြီး မြင့်မားသော တိကျမှုရှိသော processing tool surface film ရရှိရန် ပြုလုပ်သည်။
အလှဆင်အပေါ်ယံလွှာအတွက် TiN နှင့် ZrN အလှဆင်ဖလင်များကို cathodic arc coating ဖြင့် ဦးစွာ ಲೇಪပြီးနောက် magnetron targets များကို အသုံးပြု၍ သတ္တုဖြင့် doping လုပ်နိုင်ပြီး doping effect အလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။

(၂) အမွှာပြား မဂ္ဂနက်ထရွန်နှင့် ကော်လံ ကက်သုတ် အိုင်းယွန်း အပေါ်ယံလွှာ နည်းပညာများ ပေါင်းစပ်ထားသည်။ ကိရိယာကို အောက်ပါအတိုင်း ပြသထားသည်။ ၎င်းကို အဆင့်မြင့် အမွှာပစ်မှတ်နည်းပညာကို အသုံးပြုထားပြီး၊ ဘေးချင်းယှဉ်နေသော အမွှာပစ်မှတ်နှစ်ခုကို အလယ်အလတ်ကြိမ်နှုန်း ပါဝါထောက်ပံ့မှုနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသောအခါ၊ DC sputtering၊ မီးလောင်ခြင်းနှင့် အခြားအားနည်းချက်များကြောင့် ပစ်မှတ်အဆိပ်သင့်ခြင်းကို ကျော်လွှားနိုင်ရုံသာမက၊ Al203၊ SiO2 အောက်ဆိုဒ် အရည်အသွေးရှိသော ဖလင်ကို သွင်းနိုင်သောကြောင့် အပေါ်ယံလွှာပါ အစိတ်အပိုင်းများ၏ အောက်ဆီဒေးရှင်း ခံနိုင်ရည် မြင့်တက်လာပြီး တိုးတက်ကောင်းမွန်လာသည်။ ဗူကးမား အခန်း၏ အလယ်ဗဟိုတွင် တပ်ဆင်ထားသော ကော်လံပါ multi-arc ပစ်မှတ်သည် ပစ်မှတ်ပစ္စည်းကို Ti နှင့် Zr တို့ကို အသုံးပြုနိုင်ပြီး၊ မြင့်မားသော multi-arc dissociation rate၊ deposition rate ၏ အားသာချက်များကို ထိန်းသိမ်းရန်သာမက၊ သေးငယ်သော မျက်နှာပြင် multi-arc ပစ်မှတ် အပေါ်ယံလွှာတွင် "အစက်အပြောက်များ" ကို ထိရောက်စွာ လျှော့ချနိုင်ပြီး၊ သတ္တုဖလင်များ၊ ဒြပ်ပေါင်းဖလင်များ၏ porosity နည်းပါးမှုကို သွင်းပြီး ပြင်ဆင်နိုင်သည်။ Al နှင့် Si ကို အပြင်ဘက်တွင် တပ်ဆင်ထားသော အမွှာပြား မဂ္ဂနက်ထရွန်ပစ်မှတ်များအတွက် ပစ်မှတ်ပစ္စည်းများအဖြစ် အသုံးပြုပါက၊ Al203 သို့မဟုတ် Si0 သတ္တု-ကြွေဖလင်များကို သွင်းပြီး ပြင်ဆင်နိုင်သည်။ ထို့အပြင်၊ multi-arc evaporation source ၏ သေးငယ်သော မျက်နှာပြင်များစွာကို အပြင်ဘက်တွင် တပ်ဆင်နိုင်ပြီး ၎င်း၏ပစ်မှတ်ပစ္စည်းမှာ Cr သို့မဟုတ် Ni ဖြစ်နိုင်ပြီး သတ္တုဖလင်များနှင့် multilayer composite ဖလင်များကို အပ်နှံပြင်ဆင်နိုင်သည်။ ထို့ကြောင့် ဤ composite coating နည်းပညာသည် အသုံးချမှုများစွာရှိသော composite coating နည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။