ເຕັກໂນໂລຊີການສະເປເຕີຣິງແມກເນຕຣອນ ແລະ ການເຄືອບໄອອອນຫຼາຍອາກແບບແຄໂທດິກ

ອຸປະກອນເຄືອບຄອມໂພສິດຂອງການສະເປເຕີຣິງແມກນີຕຣອນ ແລະ ການເຄືອບໄອອອນຫຼາຍອາກແບບກາໂທດິກສາມາດເຮັດວຽກແຍກຕ່າງຫາກ ແລະ ພ້ອມໆກັນ; ສາມາດຝາກ ແລະ ກະກຽມຟິມໂລຫະບໍລິສຸດ, ຟິມປະສົມໂລຫະ ຫຼື ຟິມປະສົມ; ສາມາດເປັນຟິມຊັ້ນດຽວ ແລະ ຟິມປະສົມຫຼາຍຊັ້ນ.

ຂໍ້ດີຂອງມັນດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້:
ມັນບໍ່ພຽງແຕ່ລວມເອົາຂໍ້ດີຂອງການເຄືອບໄອອອນຕ່າງໆ ແລະ ຄຳນຶງເຖິງການກະກຽມ ແລະ ການວາງຊັ້ນຂອງຟິມບາງໆສຳລັບຂົງເຂດການນຳໃຊ້ຕ່າງໆ, ແຕ່ຍັງຊ່ວຍໃຫ້ການວາງຊັ້ນ ແລະ ການກະກຽມຟິມ monolithic ຫຼາຍຊັ້ນ ຫຼື ຟິມ composite ຫຼາຍຊັ້ນໃນຫ້ອງເຄືອບສູນຍາກາດດຽວກັນໃນເວລາດຽວກັນ.
ການນຳໃຊ້ຊັ້ນຟິມທີ່ຝາກໄວ້ແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງ ເຕັກໂນໂລຊີຂອງມັນມີຫຼາກຫຼາຍຮູບແບບ, ຮູບແບບທົ່ວໄປດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້:
(1) ສານປະກອບຂອງການສະເປເຕີຣິນແມກນີຕຣອນທີ່ບໍ່ສົມດຸນ ແລະ ເຕັກໂນໂລຊີການຊຸບໄອອອນແຄໂທດິກ.
ອຸປະກອນຂອງມັນແມ່ນສະແດງດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້. ມັນເປັນອຸປະກອນເຄືອບປະສົມຂອງເປົ້າໝາຍແມກນີຕຣອນແບບເສົາ ແລະ ການເຄືອບໄອອອນແບບກາໂຕດແບບຮາບພຽງ, ເຊິ່ງເໝາະສົມທັງຟິມປະສົມເຄືອບເຄື່ອງມື ແລະ ການເຄືອບຟິມຕົກແຕ່ງ. ສຳລັບການເຄືອບເຄື່ອງມື, ການເຄືອບໄອອອນແບບກາໂຕດແບບອາກຖືກນໍາໃຊ້ກ່ອນສໍາລັບການເຄືອບຊັ້ນພື້ນຖານ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນເປົ້າໝາຍແມກນີຕຣອນແບບເສົາແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບການວາງໄນໄຕຣດ ແລະ ຊັ້ນຟິມອື່ນໆເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຟິມພື້ນຜິວເຄື່ອງມືທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ.
ສຳລັບການເຄືອບຕົກແຕ່ງ, ຟິມຕົກແຕ່ງ TiN ແລະ ZrN ສາມາດຖືກວາງລົງໂດຍການເຄືອບ cathodic arc ກ່ອນ, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນຖືກໂດບດ້ວຍໂລຫະໂດຍໃຊ້ເປົ້າໝາຍ magnetron, ແລະຜົນກະທົບຂອງການໂດບແມ່ນດີຫຼາຍ.

(2) ສານປະກອບຂອງເຕັກນິກການເຄືອບໄອອອນແບບແມກນີຕຣອນຄູ່ແບບຮາບພຽງ ແລະ ເສົາແຄໂທດອາກໄອອອນ. ອຸປະກອນດັ່ງກ່າວສະແດງໃຫ້ເຫັນດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້. ມັນຖືກນຳໃຊ້ເຕັກໂນໂລຊີເປົ້າໝາຍຄູ່ແບບກ້າວໜ້າ, ເມື່ອເປົ້າໝາຍຄູ່ແບບຮາບພຽງສອງອັນຕິດກັນເຊື່ອມຕໍ່ກັບແຫຼ່ງພະລັງງານຄວາມຖີ່ກາງ, ມັນບໍ່ພຽງແຕ່ເອົາຊະນະການເປັນພິດຂອງເປົ້າໝາຍຈາກການສະເປດ DC, ໄຟໄໝ້ ແລະ ຂໍ້ເສຍອື່ນໆເທົ່ານັ້ນ; ແລະ ສາມາດຝາກຟິມທີ່ມີຄຸນນະພາບອົກໄຊ Al203, SiO2, ດັ່ງນັ້ນຄວາມຕ້ານທານການຜຸພັງຂອງຊິ້ນສ່ວນທີ່ເຄືອບໄດ້ເພີ່ມຂຶ້ນ ແລະ ດີຂຶ້ນ. ເປົ້າໝາຍຫຼາຍອາກແບບເສົາຕິດຕັ້ງຢູ່ໃຈກາງຂອງຫ້ອງສູນຍາກາດ, ວັດສະດຸເປົ້າໝາຍສາມາດໃຊ້ Ti ແລະ Zr, ບໍ່ພຽງແຕ່ຮັກສາຂໍ້ໄດ້ປຽບຂອງອັດຕາການແຍກຕົວຫຼາຍອາກສູງ, ອັດຕາການຝາກ, ແຕ່ຍັງສາມາດຫຼຸດຜ່ອນ "ຢອດ" ໃນຂະບວນການຝາກເປົ້າໝາຍຫຼາຍອາກແບບຮາບພຽງຂະໜາດນ້ອຍໄດ້ຢ່າງມີປະສິດທິພາບ, ສາມາດຝາກ ແລະ ກະກຽມຟິມໂລຫະ, ຟິມປະສົມທີ່ມີຮູພຸນຕ່ຳ. ຖ້າ Al ແລະ Si ຖືກນຳໃຊ້ເປັນວັດສະດຸເປົ້າໝາຍສຳລັບເປົ້າໝາຍແມກນີຕຣອນຄູ່ແບບຮາບພຽງທີ່ຕິດຕັ້ງຢູ່ບໍລິເວນອ້ອມຂ້າງ, ຟິມໂລຫະ-ເຊລາມິກ Al203 ຫຼື Si0 ສາມາດຝາກ ແລະ ກະກຽມໄດ້. ນອກຈາກນັ້ນ, ຍັງມີແຜ່ນນ້ອຍໆຫຼາຍແຜ່ນຂອງແຫຼ່ງລະເຫີຍຫຼາຍເສັ້ນໂຄ້ງທີ່ສາມາດຕິດຕັ້ງໄດ້ຢູ່ບໍລິເວນອ້ອມຂ້າງ, ແລະ ວັດສະດຸເປົ້າໝາຍຂອງມັນສາມາດເປັນ Cr ຫຼື Ni, ແລະ ຟິມໂລຫະ ແລະ ຟິມປະສົມຫຼາຍຊັ້ນສາມາດຝາກ ແລະ ກະກຽມໄດ້. ດັ່ງນັ້ນ, ເຕັກໂນໂລຊີການເຄືອບປະສົມນີ້ແມ່ນເຕັກໂນໂລຊີການເຄືອບປະສົມທີ່ມີການນຳໃຊ້ຫຼາຍຢ່າງ.