Ο εξοπλισμός σύνθετης επίστρωσης με μαγνητρονικό ψεκασμό και καθοδική πολυτοξική ιοντική επίστρωση μπορεί να λειτουργήσει ξεχωριστά και ταυτόχρονα· μπορεί να εναποτεθεί και να παρασκευαστεί καθαρή μεταλλική μεμβράνη, μεμβράνη μεταλλικών ενώσεων ή σύνθετη μεμβράνη· μπορεί να είναι ένα μονό στρώμα μεμβράνης και ένα πολυστρωματικό σύνθετο φιλμ.
Τα πλεονεκτήματά του ως εξής:
Δεν συνδυάζει μόνο τα πλεονεκτήματα διαφόρων ιοντικών επιστρώσεων και λαμβάνει υπόψη την προετοιμασία και την εναπόθεση λεπτής μεμβράνης για διάφορα πεδία εφαρμογής, αλλά επιτρέπει επίσης την εναπόθεση και την προετοιμασία πολυστρωματικών μονολιθικών μεμβρανών ή πολυστρωματικών σύνθετων μεμβρανών στον ίδιο θάλαμο επικάλυψης κενού ταυτόχρονα.
Οι εφαρμογές των εναποτιθέμενων στρώσεων μεμβράνης χρησιμοποιούνται ευρέως και οι τεχνολογίες τους παρουσιάζουν ποικίλες μορφές, οι τυπικές από τις οποίες είναι οι εξής:
(1) Η ένωση της τεχνολογίας ψεκασμού μαγνητρονίου εκτός ισορροπίας και καθοδικής ιοντικής επιμετάλλωσης.
Η συσκευή του παρουσιάζεται ως εξής. Πρόκειται για έναν εξοπλισμό σύνθετης επίστρωσης με στόχο στήλης μαγνητρόνου και επίπεδη καθοδική επίστρωση ιόντων τόξου, ο οποίος είναι κατάλληλος τόσο για την επίστρωση σύνθετης μεμβράνης εργαλείων όσο και για την επίστρωση διακοσμητικής μεμβράνης. Για την επίστρωση εργαλείων, η καθοδική επίστρωση ιόντων τόξου χρησιμοποιείται πρώτα για την επίστρωση του στρώματος βάσης και στη συνέχεια ο στόχος στήλης μαγνητρόνου χρησιμοποιείται για την εναπόθεση νιτριδίων και άλλων στρωμάτων μεμβράνης για την απόκτηση μιας επιφανειακής μεμβράνης εργαλείου επεξεργασίας υψηλής ακρίβειας.
Για διακοσμητική επίστρωση, οι διακοσμητικές μεμβράνες TiN και ZrN μπορούν να εναποτεθούν πρώτα με καθοδική επίστρωση τόξου και στη συνέχεια να προσμειχθούν με μέταλλο χρησιμοποιώντας στόχους μαγνητρόνου, και το αποτέλεσμα πρόσμιξης είναι πολύ καλό.
(2) Η ένωση τεχνικών επικάλυψης ιόντων με διπλό επίπεδο μαγνητρόνιο και καθοδικό τόξο στήλης. Η συσκευή παρουσιάζεται ως εξής. Χρησιμοποιεί την προηγμένη τεχνολογία διπλού στόχου, όταν δύο διπλοί στόχοι δίπλα-δίπλα συνδέονται με την τροφοδοσία μέσης συχνότητας, όχι μόνο ξεπερνά τη δηλητηρίαση του στόχου από ψεκασμό DC, φωτιά και άλλα μειονεκτήματα, και μπορεί να εναποθέσει μεμβράνη ποιότητας οξειδίου Al203, SiO2, έτσι ώστε η αντοχή στην οξείδωση των επικαλυμμένων μερών να αυξηθεί και να βελτιωθεί. Σε έναν στηλοειδή στόχο πολλαπλών τόξων εγκατεστημένο στο κέντρο του θαλάμου κενού, το υλικό του στόχου μπορεί να χρησιμοποιηθεί Ti και Zr, όχι μόνο για να διατηρήσει τα πλεονεκτήματα του υψηλού ρυθμού διάσπασης πολλαπλών τόξων, του ρυθμού εναπόθεσης, αλλά και για να μειώσει αποτελεσματικά τα "σταγονίδια" στη διαδικασία εναπόθεσης στόχων πολλαπλών τόξων μικρού επιπέδου, μπορεί να εναποθέσει και να προετοιμάσει μεταλλικές μεμβράνες χαμηλού πορώδους, σύνθετες μεμβράνες. Εάν χρησιμοποιούνται Al και Si ως υλικά στόχου για τους διπλούς επίπεδους στόχους μαγνητρόνιο που εγκαθίστανται στην περιφέρεια, μπορούν να εναποτεθούν και να παρασκευαστούν μεταλλοκεραμικές μεμβράνες Al203 ή Si0. Επιπλέον, μπορούν να εγκατασταθούν πολλαπλά μικρά επίπεδα πηγής εξάτμισης πολλαπλών τόξων στην περιφέρεια, και το υλικό-στόχος της μπορεί να είναι Cr ή Ni, και μπορούν να εναποτεθούν και να προετοιμαστούν μεταλλικές μεμβράνες και πολυστρωματικές σύνθετες μεμβράνες. Επομένως, αυτή η τεχνολογία σύνθετης επίστρωσης είναι μια τεχνολογία σύνθετης επίστρωσης με πολλαπλές εφαρμογές.
Ώρα δημοσίευσης: 08 Νοεμβρίου 2022