Cáilớp phủ chân khôngQuy trình gia công bằng máy được chia thành: phủ bay hơi chân không, phủ lắng đọng chân không và phủ ion chân không.
1. Lớp phủ bay hơi chân không
Trong điều kiện chân không, vật liệu được làm bay hơi, chẳng hạn như kim loại, hợp kim kim loại, v.v., sau đó được lắng đọng trên bề mặt chất nền. Phương pháp phủ bay hơi thường sử dụng gia nhiệt bằng điện trở, sau đó dùng chùm tia điện tử bắn phá vật liệu phủ để làm cho chúng bay hơi thành pha khí, rồi lắng đọng trên bề mặt chất nền. Về mặt lịch sử, lắng đọng hơi chân không là công nghệ được sử dụng sớm nhất trong phương pháp PVD.
2. Lớp phủ lắng đọng phún xạ
Khí được đưa vào quá trình phóng điện phát sáng trong điều kiện chân không chứa đầy argon (Ar). Tại thời điểm này, các nguyên tử argon (Ar) bị ion hóa thành các ion nitơ (Ar). Các ion này được gia tốc bởi lực của điện trường và bắn phá mục tiêu catốt được làm bằng vật liệu phủ, mục tiêu sẽ bị bắn phá và lắng đọng trên bề mặt chất nền. Các ion tới trong quá trình phủ bằng phương pháp bắn phá, thường thu được bằng phóng điện phát sáng, nằm trong khoảng từ 10⁻² Pa đến 10 Pa. Do đó, các hạt bị bắn phá dễ va chạm với các phân tử khí trong buồng chân không khi bay về phía chất nền, làm cho hướng chuyển động ngẫu nhiên và lớp màng lắng đọng dễ dàng đồng đều.
3. Lớp phủ ion
Trong điều kiện chân không, người ta sử dụng một kỹ thuật ion hóa plasma nhất định để ion hóa một phần các nguyên tử vật liệu phủ thành ion. Đồng thời, nhiều nguyên tử trung tính năng lượng cao được tạo ra, mang điện tích âm trên chất nền. Bằng cách này, các ion được lắng đọng trên bề mặt chất nền dưới điện áp âm sâu để tạo thành một lớp màng mỏng.
Thời gian đăng bài: 23/03/2023