Ewnixumandina valahiyaPêvajoya makîneyê di nav de tê dabeş kirin: pêlavkirina evaporkirina valahiya, pêlava şûştina valahiya û pêlavkirina îyona valahiya.
1, Kişandina evaporasyona valahiya
Di bin şert û mercên valahiya de, materyalê biherikînin, mîna metal, alikariya metal, hwd. dûv re wan li ser rûyê substratê bihêlin, rêbaza pêlavkirina evaporasyonê bi gelemperî germkirina berxwedanê bikar tîne, û dûv re bombekirina tîrêjê elektronîkî ya materyalê xêzkirinê, wan çê dike. di qonaxa gazê de diherike, dûv re li ser rûyê substratê tê rijandin, ji hêla dîrokî ve, depokirina buhara valahiya teknolojiya berê ye ku di rêbaza PVD de tê bikar anîn.
2, Kişandina avêtinê
Gaz di bin şert û mercên valahiya dagirtî (Ar) de di bin ronahiyek dagirtî de ye Di vê gavê de atomên argon (Ar) di nav îyonên nîtrojenê (Ar) de diherike, îyon bi hêza qada elektrîkê lez dibin û hedefa katodê bombebaran dikin. ji maddeya xêzkirinê hatî çêkirin, armanc dê were rijandin û li ser rûbera substratê were razandin. Iyonên rûdanê yên di pêlava rijandinê de, bi gelemperî ji hêla ronahiyê ve têne peyda kirin, di nav rêza 10-2pa heya 10Pa de ne, Ji ber vê yekê perçeyên rijandin bi hêsanî li hev dikevin. bi molekulên gazê yên di jûreya valahiya de dema ku ber bi jêrzemînê ve difirin, rêgeza tevgerê bi awakî rasthatî dike û fîlima razandî hêsan dibe ku yekreng be.
3, Çêkirina îyonê
Di bin şert û mercên valahiyê de, di bin şert û mercên valahiya de, hin teknîkek îonîzasyona plazmayê bikar anîn da ku bi qismî atomên maddeya nixumandinê di îyonan de îyonîze bike. Di heman demê de gelek atomên bêalî yên bi enerjiya bilind têne hilberandin, yên ku bi neyînî li ser substratê ne. Bi vî rengî, îyon li ser rûyê substratê di bin nîgarek neyînî ya kûr de têne razandin da ku fîlimek zirav çêbikin.
Dema şandinê: Mar-23-2023