Thehutsean estalduramakina prozesua honako hauetan banatzen da: hutsean lurruntzeko estaldura, hutsean sputtering estaldura eta hutsean ioi estaldura.
1 、 Hutsean lurruntzeko estaldura
Hutsean, egin materiala lurrundu, hala nola, metala, metalezko aleazioa, etab., ondoren substratuaren gainazalean utzi, lurruntze-estaldura-metodoa sarritan erresistentzia berotzea erabiltzen da, eta gero estaldura-materialaren elektroi-sorta bonbardatzea, egin itzazu. gas-fasean lurrundu, gero substratuaren gainazalean metatu, historikoki, hutsean lurrun-deposizioa PVD metodoan erabilitako teknologia da.
2 、 Sputtering estaldura
Gasa distira-deskarga bat jasaten da (Ar)- betetako huts-baldintzetan. Momentu honetan, argon (Ar) atomoen ioia nitrogeno ioietan (Ar), ioiak eremu elektrikoaren indarraz bizkortzen dira, eta katodoaren helburua bonbardatzen dute. estaldura-materialez egina dago, helburua sputter-azalean botako da eta sputter-estaldurako ioiak, oro har, distira-deskargaren bidez lortzen direnak, 10-2pa eta 10Pa bitartekoak dira, beraz, sputtered partikulak talka egiteko errazak dira. substraturantz hegan egiten direnean hutseko ganbaran dauden gas molekulek, mugimenduaren norabidea ausazko eta gordailatutako filma uniformea izan dadin.
3、Ioien estaldura
Hutsean, Hutsean, Plasma ionizazio-teknika jakin bat erabili du estaldura-materialaren atomoak partzialki ionizatzeko. Aldi berean, energia handiko atomo neutro asko sortzen dira, substratuan negatiboki alboratuta. substratuaren gainazalean jalkitzen dira alborapen negatibo sakon baten pean film mehe bat osatzeko.
Argitalpenaren ordua: 2023-mar-23