၁။ ဗုံးကြဲသန့်စင်သည့် အောက်ခံ
၁.၁) Sputtering coating စက်သည် glow discharge ကို အသုံးပြု၍ substrate ကို သန့်ရှင်းရေးလုပ်သည်။ ဆိုလိုသည်မှာ argon ဓာတ်ငွေ့ကို chamber ထဲသို့ သွင်းပြီး discharge voltage မှာ 1000V ခန့်ရှိသည်။ power supply ကိုဖွင့်ပြီးနောက် glow discharge ထွက်လာပြီး argon ion bombardment ဖြင့် substrate ကို သန့်ရှင်းရေးလုပ်သည်။
၁.၂) အဆင့်မြင့် အလှဆင်ပစ္စည်းများကို စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ထုတ်လုပ်သော sputtering coating စက်များတွင်၊ arc source ငယ်များမှ ထုတ်လွှတ်သော တိုက်တေနီယမ် အိုင်းယွန်းများကို သန့်ရှင်းရေးအတွက် အများဆုံး အသုံးပြုကြသည်။ sputtering coating စက်တွင် arc source ငယ်တစ်ခု တပ်ဆင်ထားပြီး arc source ငယ်မှ ထုတ်လွှတ်သော arc plasma ရှိ တိုက်တေနီယမ် အိုင်းယွန်းစီးကြောင်းကို substrate ကို ဗုံးကြဲပြီး သန့်ရှင်းရေးလုပ်ရန် အသုံးပြုသည်။
၂။ တိုက်တေနီယမ် နိုက်ထရိုက် အပေါ်ယံလွှာ
တိုက်တေနီယမ် နိုက်ထရိုက် အလွှာပါးများကို သွင်းသောအခါ၊ စပတာရိုက်ရန်အတွက် ပစ်မှတ်ပစ္စည်းမှာ တိုက်တေနီယမ် ပစ်မှတ်ဖြစ်သည်။ ပစ်မှတ်ပစ္စည်းကို စပတာရိုက် ပါဝါထောက်ပံ့မှု၏ အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ ပစ်မှတ်ဗို့အားမှာ 400~500V ဖြစ်သည်။ အာဂွန်စီးကူးမှုသည် ပုံသေဖြစ်ပြီး၊ ထိန်းချုပ်မှုလေဟာနယ်မှာ (3~8) x10 ဖြစ်သည်။-1PA။ အလွှာကို bias power supply ၏ negative electrode နှင့် 100~200V ဗို့အားဖြင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။
စတেইနီတီယမ်ပစ်မှတ်၏ ပါဝါထောက်ပံ့မှုကို ဖွင့်ပြီးနောက်၊ တောက်ပသောထုတ်လွှတ်မှုတစ်ခု ဖြစ်ပေါ်လာပြီး မြင့်မားသောစွမ်းအင်ရှိသော အာဂွန်အိုင်းယွန်းများသည် စတেইနီတီယမ်ပစ်မှတ်ကို ပစ်ခတ်ကာ ပစ်မှတ်မှ စတেইနီတီယမ်အက်တမ်များကို လွင့်စင်စေသည်။
ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့နိုက်ထရိုဂျင်ကို ထည့်သွင်းပြီး တိုက်တေနီယမ်အက်တမ်များနှင့် နိုက်ထရိုဂျင်တို့ကို အပေါ်ယံလွှာအခန်းထဲတွင် တိုက်တေနီယမ်အိုင်းယွန်းများနှင့် နိုက်ထရိုဂျင်အိုင်းယွန်းများအဖြစ် အိုင်းယွန်းဓာတ်ပြုစေသည်။ အောက်ခံပေါ်တွင် သက်ရောက်သော အနုတ်ဘက်လိုက်လျှပ်စစ်စက်ကွင်း၏ ဆွဲငင်အားအောက်တွင် တိုက်တေနီယမ်အိုင်းယွန်းများနှင့် နိုက်ထရိုဂျင်အိုင်းယွန်းများသည် ဓာတုဓာတ်ပြုမှုနှင့် အနည်ထိုင်မှုအတွက် အောက်ခံမျက်နှာပြင်သို့ အရှိန်မြှင့်ကာ တိုက်တေနီယမ်နိုက်ထရိုက်ဖလင်အလွှာကို ဖွဲ့စည်းသည်။
၃။ အောက်ခံအလွှာကို ဖယ်ရှားပါ
ကြိုတင်သတ်မှတ်ထားသော ဖလင်အထူသို့ရောက်ရှိပြီးနောက်၊ sputtering power supply၊ substrate bias power supply နှင့် air source ကိုပိတ်ပါ။ substrate အပူချိန် 120 ℃ အောက်ရောက်ပြီးနောက်၊ coating chamber ကိုလေဖြည့်ပြီး substrate ကိုထုတ်ယူပါ။
ဤဆောင်းပါးကို ထုတ်ဝေသူမဂ္ဂနက်ထရွန် စပတ္တာ အပေါ်ယံလွှာ စက်ထုတ်လုပ်သူ- Guangdong Zhenhua။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၃ ခုနှစ်၊ ဧပြီလ ၇ ရက်