1. Pommitamise puhastussubstraat
1.1) Pihustusmasin kasutab aluspinna puhastamiseks hõõglahendust.See tähendab, et laadige argoongaas kambrisse, tühjenduspinge on umbes 1000 V, pärast toiteallika sisselülitamist tekib hõõglahendus ja substraat puhastatakse argooniioonide pommitamise teel.
1.2) Pihustusmasinates, mis toodavad tööstuslikult kõrgetasemelisi kaunistusi, kasutatakse puhastamiseks enamasti väikeste kaareallikate kiirgavaid titaanioone.Pihustusmasin on varustatud väikese kaareallikaga ning väikese kaareallika tühjenemisel tekkivat kaareplasmas olevat titaanioonide voogu kasutatakse substraadi pommitamiseks ja puhastamiseks.
2. Titaannitriidkate
Titaannitriidi õhukeste kilede sadestamisel on pihustamise sihtmaterjaliks titaansihtmärk.Sihtmaterjal on ühendatud pihustustoiteallika negatiivse elektroodiga ja sihtpinge on 400–500 V;Argooni voog on fikseeritud ja kontrollvaakum on (3–8) x10-1PA.Substraat on ühendatud eelpinge toiteallika negatiivse elektroodiga pingega 100–200 V.
Pärast pihustatava titaani sihtmärgi toiteallika sisselülitamist tekib hõõglahendus ja suure energiaga argooniioonid pommitavad pihustusobjekti, pihustades sihtmärgist titaani aatomeid.
Reaktsioonigaasi lämmastik sisestatakse ning titaani aatomid ja lämmastik ioniseeritakse kattekambris titaanioonideks ja lämmastikuioonideks.Substraadile rakendatud negatiivse nihkega elektrivälja külgetõmbe all kiirenevad titaanioonid ja lämmastikuioonid substraadi pinnale keemiliseks reaktsiooniks ja sadestamiseks, moodustades titaannitriidi kilekihi.
3. Võtke aluspind välja
Pärast etteantud kile paksuse saavutamist lülitage pihustustoiteallikas, substraadi eelpinge toiteallikas ja õhuallikas välja.Kui aluspinna temperatuur on alla 120 ℃, täitke katmiskamber õhuga ja eemaldage aluspind.
Selle artikli on avaldanudmagnetroni pihustuskatmismasina tootja– Guangdongi Zhenhua.
Postitusaeg: aprill-07-2023