რა პროცესებით ხორციელდება ვაკუუმური საფარის აპარატი? რა არის მუშაობის პრინციპი?

ისვაკუუმური საფარიმანქანა-დანადგარის პროცესი იყოფა: ვაკუუმური აორთქლების საფარი, ვაკუუმური გაფრქვევის საფარი და ვაკუუმური იონური საფარი.

1, ვაკუუმური აორთქლების საფარი

ვაკუუმის პირობებში, მასალა აორთქლდება, როგორიცაა ლითონი, ლითონის შენადნობი და ა.შ., შემდეგ კი ისინი დალექილია სუბსტრატის ზედაპირზე. აორთქლების საფარის მეთოდი ხშირად იყენებს წინააღმდეგობის გათბობას, შემდეგ კი საფარი მასალის ელექტრონული სხივური დაბომბვას, მათი აორთქლება აირისებრ ფაზაში, შემდეგ კი დალექვა სუბსტრატის ზედაპირზე. ისტორიულად, ვაკუუმური ორთქლის დეპონირება PVD მეთოდში გამოყენებული ადრეული ტექნოლოგია იყო.

2, შესხურების საფარი

გაზი (Ar)-ით სავსე ვაკუუმის პირობებში განიცდის მბზინავი განმუხტვას. ამ მომენტში არგონის (Ar) ატომები აზოტის იონებად (Ar) გარდაიქმნება. იონები ელექტრული ველის ძალით აჩქარებენ და ბომბავენ კათოდის სამიზნეს, რომელიც დამზადებულია საფარის მასალისგან, სამიზნე გამოიფრქვევა და დაილექება სუბსტრატის ზედაპირზე. გაფრქვევის საფარში შემავალი იონების რაოდენობა, რომელიც ძირითადად მბზინავი განმუხტვით მიიღება, 10-2pa-დან 10Pa-მდე დიაპაზონშია. ამიტომ, სუბსტრატისკენ მიმავალი გაფრქვეული ნაწილაკები ადვილად ეჯახებიან ვაკუუმურ კამერაში არსებულ გაზის მოლეკულებს, რაც მოძრაობის მიმართულებას შემთხვევითს ხდის, ხოლო დალექილი ფენა ადვილად ერთგვაროვანი ხდება.

3, იონური საფარი

ვაკუუმის პირობებში, ვაკუუმის პირობებში, გამოიყენება გარკვეული პლაზმური იონიზაციის ტექნიკა საფარის მასალის ატომების იონებად ნაწილობრივ იონიზაციისთვის. ამავდროულად, წარმოიქმნება მრავალი მაღალი ენერგიის ნეიტრალური ატომი, რომლებიც უარყოფითად არიან მიკერძოებულნი სუბსტრატზე. ამ გზით, იონები ილექება სუბსტრატის ზედაპირზე ღრმა უარყოფითი მიკერძოების ქვეშ, თხელი ფენის წარმოქმნით.