အင်ဒီယမ်တင်အောက်ဆိုဒ် (Indium Tin Oxide, ITO ဟုရည်ညွှန်းသည်) သည် band gap ကျယ်ပြီး doping များစွာပါဝင်သော n-type semiconductor ပစ္စည်းများဖြစ်ပြီး မြင်နိုင်သောအလင်းဖောက်လွှတ်နိုင်စွမ်းမြင့်မားပြီး resistivity နိမ့်ကျသောကြောင့် solar cell များ၊ flat panel display များ၊ electrochromic windows များ၊ inorganic နှင့် organic thin-film electroluminescence များ၊ laser diode များနှင့် ultraviolet detector များနှင့် အခြား photovoltaic device များ စသည်တို့တွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။ ITO film များပြင်ဆင်နည်းများစွာရှိပြီး pulsed laser deposition၊ sputtering၊ chemical vapor deposition၊ spray thermal decomposition၊ sol-gel၊ evaporation စသည်တို့ပါဝင်သည်။ evaporation နည်းလမ်းများတွင် electron beam evaporation ကို အသုံးအများဆုံးဖြစ်သည်။
ITO ဖလင်ကို ပြင်ဆင်ရန် နည်းလမ်းများစွာရှိပြီး pulsed laser deposition၊ sputtering၊ chemical vapor deposition၊ spray pyrolysis၊ sol-gel၊ evaporation စသည်တို့ ပါဝင်ပြီး အသုံးအများဆုံး evaporation နည်းလမ်းမှာ electron beam evaporation ဖြစ်သည်။ ITO ဖလင်များကို evaporation ပြင်ဆင်ရာတွင် နည်းလမ်းနှစ်ခုရှိသည်- တစ်ခုမှာ မြင့်မားသော purity In, Sn alloy ကို အရင်းအမြစ်ပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုပြီး အောက်ဆီဂျင်လေထုတွင် reaction evaporation အတွက် အသုံးပြုသည်။ ဒုတိယတစ်ခုမှာ မြင့်မားသော purity In2O3:, SnO2 mixture ကို တိုက်ရိုက် evaporation အတွက် အရင်းအမြစ်ပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုသည်။ မြင့်မားသော transmittance နှင့် resistivity နည်းသော ဖလင်ပြုလုပ်ရန်အတွက် substrate အပူချိန်မြင့်မားရန် သို့မဟုတ် ဖလင်ကို နောက်ဆက်တွဲ annealing လုပ်ရန် လိုအပ်သည်။ HR Fallah နှင့် အဖွဲ့သည် electron beam evaporation နည်းလမ်းကို အပူချိန်နိမ့်တွင် အသုံးပြု၍ ITO ဖလင်ပါးများကို သွင်းခဲ့ပြီး deposition rate၊ annealing temperature နှင့် အခြားလုပ်ငန်းစဉ် parameter များသည် ဖလင်၏ဖွဲ့စည်းပုံ၊ လျှပ်စစ်နှင့် optical ဂုဏ်သတ္တိများအပေါ် အကျိုးသက်ရောက်မှုကို လေ့လာခဲ့သည်။ deposition rate ကို လျှော့ချခြင်းသည် transmittance ကို မြှင့်တင်ပေးပြီး အပူချိန်နိမ့်တွင် ကြီးထွားလာသော ဖလင်များ၏ resistivity ကို လျော့ကျစေနိုင်ကြောင်း ၎င်းတို့က ထောက်ပြခဲ့သည်။ မြင်နိုင်သောအလင်း၏ စိမ့်ဝင်နိုင်စွမ်းသည် ၉၂% ကျော်ရှိပြီး ခုခံမှုမှာ 7X10-4Ωcm ဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့သည် အခန်းအပူချိန် ၃၅၀ မှ ၅၅၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် ကြီးထွားလာသော ITO ဖလင်များကို အပူပေးခဲ့ပြီး အပူပေးအပူချိန် မြင့်လေ၊ ITO ဖလင်များ၏ ပုံဆောင်ခဲဂုဏ်သတ္တိ ပိုကောင်းလေဖြစ်ကြောင်း တွေ့ရှိခဲ့သည်။ ၅၅၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် အပူပေးပြီးနောက် ဖလင်များ၏ မြင်နိုင်သောအလင်း စိမ့်ဝင်နိုင်စွမ်းမှာ ၉၃% ရှိပြီး အမှုန်အရွယ်အစားမှာ ၃၇nm ခန့်ရှိသည်။ ပလာစမာအကူအညီဖြင့် နည်းလမ်းသည် ဖလင်ဖွဲ့စည်းခြင်းအတွင်း အလွှာအပူချိန်ကိုလည်း လျှော့ချနိုင်ပြီး ၎င်းသည် ဖလင်ဖွဲ့စည်းခြင်းတွင် အရေးကြီးဆုံးအချက်ဖြစ်ပြီး ပုံဆောင်ခဲဖြစ်ခြင်းလည်း အရေးကြီးဆုံးဖြစ်သည်။ ပလာစမာအကူအညီဖြင့် နည်းလမ်းသည် ဖလင်ဖွဲ့စည်းခြင်းအတွင်း အလွှာအပူချိန်ကိုလည်း လျှော့ချနိုင်ပြီး သတ္တုသိုက်မှရရှိသော ITO ဖလင်သည် ကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသည်။ S. Laux et al မှ ပြင်ဆင်ထားသော ITO ဖလင်၏ ခုခံမှု အလွန်နည်းသည်၊ 5*10-”Ωcm ဖြစ်ပြီး၊ 550nm တွင် အလင်းစုပ်ယူမှုမှာ 5% အောက်ဖြစ်ပြီး၊ အနည်ကျခြင်းအတွင်း အောက်ဆီဂျင်ဖိအားကို ပြောင်းလဲခြင်းဖြင့် ဖလင်၏ ခုခံမှုနှင့် optical bandwidth ကိုလည်း ပြောင်းလဲစေသည်။
- ဤဆောင်းပါးကို ထုတ်ဝေသူဖုန်စုပ်အပေါ်ယံလွှာစက်ထုတ်လုပ်သူGuangdong Zhenhua
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၄ ခုနှစ်၊ မတ်လ ၂၃ ရက်