Ang Indium tin oxide (Indium Tin Oxide, gitawag nga ITO) usa ka lapad nga band gap, heavyly doped n-type semiconductor materials, nga adunay taas nga visible light transmittance ug ubos nga resistivity characteristics, busa kaylap nga gigamit sa solar cells, flat panel displays, electrochromic windows, inorganic ug organic thin-film electroluminescence, laser diodes ug ultraviolet detectors ug uban pang photovoltaic devices, ug uban pa. Daghang pamaagi sa pag-andam sa ITO films, lakip ang pulsed laser deposition, sputtering, chemical vapor deposition, spray thermal decomposition, sol-gel, evaporation, ug uban pa. Lakip sa mga pamaagi sa evaporation, ang labing kasagarang gigamit mao ang electron beam evaporation.
Daghang paagi sa pag-andam sa ITO film, lakip na ang pulsed laser deposition, sputtering, chemical vapor deposition, spray pyrolysis, sol-gel, evaporation ug uban pa, diin ang labing kasagarang gigamit nga pamaagi sa evaporation mao ang electron beam evaporation. Ang pag-andam sa evaporation sa ITO films kasagaran adunay duha ka paagi: ang una mao ang paggamit sa high-purity In, Sn alloy isip source material, sa oxygen atmosphere para sa reaction evaporation; ang ikaduha mao ang paggamit sa high-purity In2O3:, SnO2 mixture isip source material para sa direct evaporation. Aron makahimo og film nga taas og transmittance ug ubos og resistivity, kasagaran kinahanglan ang mas taas nga substrate temperature o ang sunod nga annealing sa film. Gigamit ni HR Fallah et al. ang electron beam evaporation method sa ubos nga temperatura aron ideposito ang ITO thin films, aron tun-an ang epekto sa deposition rate, annealing temperature ug uban pang process parameters sa istruktura sa film, electrical ug optical properties. Gipunting nila nga ang pagpaubos sa deposition rate mahimong makadugang sa transmittance ug makapakunhod sa resistivity sa low-temperature-grown films. Ang transmittance sa visible light kay sobra sa 92%, ug ang resistivity kay 7X10-4Ωcm. Gi-anneal nila ang mga ITO film nga gipatubo sa temperatura sa kwarto sa 350~550℃, ug nakita nga kon mas taas ang temperatura sa annealing, mas maayo ang crystalline properties sa mga ITO film. Ang visible light transmittance sa mga film human sa annealing sa 550℃ kay 93%, ug ang grain size kay mga 37nm. Ang plasma-assisted method makapakunhod usab sa temperatura sa substrate atol sa pagporma sa film, nga mao ang pinaka importante nga factor sa pagporma sa film, ug ang crystallinity mao usab ang pinaka importante. Ang plasma-assisted method makapakunhod usab sa temperatura sa substrate atol sa pagporma sa film, ug ang ITO film nga nakuha gikan sa deposition adunay maayong performance. Ang resistivity sa ITO film nga giandam ni S. Laux et al. ubos kaayo, 5*10-”Ωcm, ug ang pagsuhop sa kahayag sa 550nm ubos sa 5%, ug ang resistivity sa film ug ang optical bandwidth mausab usab pinaagi sa pag-usab sa oxygen pressure atol sa deposition.
–Kini nga artikulo gipagawas nitiggama og vacuum coating machineGuangdong Zhenhua
Oras sa pag-post: Mar-23-2024