Indium timah oksida (Indium Timah Oksida, dirujuk sebagai ITO) ialah bahan semikonduktor jenis-n yang mempunyai jurang jalur yang luas, didop kuat, dengan transmisi cahaya yang tinggi dan ciri-ciri kerintangan yang rendah, dan dengan itu digunakan secara meluas dalam sel suria, paparan panel rata, tingkap elektrokromik, elektroluminesen filem nipis bukan organik dan organik, diod laser dan pengesan ultraungu serta peranti fotovoltaik lain, dan sebagainya. Terdapat banyak kaedah penyediaan filem ITO, termasuk pemendapan laser berdenyut, percikan, pemendapan wap kimia, penguraian haba semburan, sol-gel, penyejatan, dan sebagainya. Antara kaedah penyejatan, yang paling biasa digunakan ialah penyejatan pancaran elektron.
Terdapat banyak cara untuk menyediakan filem ITO, termasuk pemendapan laser berdenyut, percikan, pemendapan wap kimia, pirolisis semburan, sol-gel, penyejatan dan sebagainya, yang mana kaedah penyejatan yang paling biasa digunakan ialah penyejatan pancaran elektron. Penyediaan penyejatan filem ITO biasanya mempunyai dua cara: satu ialah penggunaan aloi In, Sn berketulenan tinggi sebagai bahan sumber, dalam atmosfera oksigen untuk penyejatan tindak balas; yang kedua ialah penggunaan campuran In2O3:, SnO2 berketulenan tinggi sebagai bahan sumber untuk penyejatan langsung. Untuk membuat filem dengan transmisi tinggi dan kerintangan rendah, secara amnya memerlukan suhu substrat yang lebih tinggi atau keperluan untuk penyepuhlindapan filem berikutnya. HR Fallah et al. menggunakan kaedah penyejatan pancaran elektron pada suhu rendah untuk memendapkan filem nipis ITO, untuk mengkaji kesan kadar pemendapan, suhu penyepuhlindapan dan parameter proses lain pada struktur filem, sifat elektrik dan optik. Mereka menunjukkan bahawa menurunkan kadar pemendapan boleh meningkatkan transmisi dan mengurangkan kerintangan filem yang ditumbuhkan pada suhu rendah. Ketransmitansi cahaya nampak adalah lebih daripada 92%, dan kerintangannya ialah 7X10-4Ωcm. Mereka telah menyepuh filem ITO yang ditumbuhkan pada suhu bilik pada 350~550℃, dan mendapati bahawa semakin tinggi suhu penyepuhlindapan, semakin baik sifat kristal filem ITO. Ketransmitansi cahaya nampak filem selepas penyepuhlindapan pada 550℃ adalah 93%, dan saiz butirannya adalah kira-kira 37nm. Kaedah bantuan plasma juga boleh mengurangkan suhu substrat semasa pembentukan filem, yang merupakan faktor terpenting dalam pembentukan filem, dan kekristalan juga yang paling penting. Kaedah bantuan plasma juga boleh mengurangkan suhu substrat semasa pembentukan filem, dan filem ITO yang diperoleh daripada pemendapan mempunyai prestasi yang baik. Kerintangan filem ITO yang disediakan oleh S. Laux et al. adalah sangat rendah, 5*10-”Ωcm, dan penyerapan cahaya pada 550nm adalah kurang daripada 5%, dan kerintangan filem serta lebar jalur optik juga berubah dengan mengubah tekanan oksigen semasa pemendapan.
–Artikel ini dikeluarkan olehpengeluar mesin salutan vakumGuangdong Zhenhua
Masa siaran: 23 Mac 2024