Fa'atomuaga o le Ufiufi a le ITO

O le Indium tin oxide (Indium Tin Oxide, e taʻua o le ITO) o se vaega lautele o le fusi, o mea semiconductor ituaiga-n e matua faʻapipiʻiina, e maualuga le malamalama vaaia ma maualalo le teteʻe, ma o lea e faʻaaogaina lautele ai i sela o le la, faʻaaliga laupapa mafolafola, faʻamalama electrochromic, electroluminescence ata manifinifi inorganic ma organic, diodes laser ma ultraviolet detectors ma isi masini photovoltaic, ma isi. E tele auala e saunia ai ata tifaga ITO, e aofia ai le pulsed laser deposition, sputtering, chemical vapor deposition, spray thermal decomposition, sol-gel, evaporation, ma isi. I totonu o le auala e faʻamamago ai, o le auala e sili ona faʻaaogaina o le electron beam evaporation.

E tele auala e saunia ai le ata tifaga ITO, e aofia ai le pulsed laser deposition, sputtering, chemical ausa deposition, spray pyrolysis, sol-gel, evaporation ma isi mea faapena, o le auala e masani ona faʻaaogaina o le evaporation o le electron beam. O le sauniuniga o le evaporation o ata tifaga ITO e masani ona i ai ni auala se lua: o le tasi o le faʻaaogaina lea o le In, Sn alloy mama maualuga o le mea autu, i totonu o le ea okesene mo le reaction evaporation; o le lona lua o le faʻaaogaina lea o le In2O3:, SnO2 paluga mama maualuga o le mea autu mo le evaporation tuusaʻo. Ina ia faia le ata tifaga e maualuga le transmittance ma maualalo le resistivity, e masani ona manaʻomia se vevela maualuga o le substrate poʻo le manaʻomia o le faʻamafanafanaina mulimuli ane o le ata tifaga. Na faʻaaogaina e HR Fallah ma isi le auala o le electron beam evaporation i le vevela maualalo e faʻaputu ai ata tifaga manifinifi o le ITO, e suʻesuʻe ai le aʻafiaga o le fua faatatau o le faʻaputuina, vevela o le faʻamafanafana ma isi faʻasologa o le faagasologa i luga o le fausaga o le ata tifaga, meatotino eletise ma opitika. Na latou taʻua o le faʻaitiitia o le fua faatatau o le faʻaputuina e mafai ona faʻateleina ai le transmittance ma faʻaitiitia ai le resistivity o ata tifaga e tuputupu aʻe i le vevela maualalo. O le fesiitaiga o le malamalama vaaia e sili atu i le 92%, ma o le tete'e e 7X10-4Ωcm. Na latou fa'amafanafanaina ata tifaga ITO na totoina i le vevela o le potu i le 350 ~ 550 ℃, ma maua ai o le maualuga o le vevela o le fa'amafanafana, o le lelei foi lea o le meatotino tioata o ata tifaga ITO. O le fesiitaiga o le malamalama vaaia o ata tifaga pe a uma ona fa'amafanafana i le 550 ℃ e 93%, ma o le tele o fatu e tusa ma le 37nm. O le metotia fesoasoani plasma e mafai foi ona fa'aitiitia le vevela o le substrate i le taimi o le fausiaina o le ata tifaga, o le mea sili lea ona taua i le fausiaina o le ata tifaga, ma o le crystallinity e sili foi ona taua. O le metotia fesoasoani plasma e mafai foi ona fa'aitiitia le vevela o le substrate i le taimi o le fausiaina o le ata tifaga, ma o le ata tifaga ITO na maua mai le deposition e iai le fa'atinoga lelei. O le tete'e o le ata tifaga ITO na saunia e S. Laux et al. e matuā maualalo lava, 5*10-”Ωcm, ma o le mitiia o le malamalama i le 550nm e itiiti ifo i le 5%, ma o le tete'e o le ata tifaga ma le bandwidth opitika e suia fo'i e ala i le suia o le mamafa o le okesene i le taimi o le fa'aputuina.

–O lenei tusiga ua fa'asalalauina egaosi oloa masini ufiufi vacuumGuangdong Zhenhua