Ny oksidan'ny indium tin (Indium Tin Oxide, antsoina hoe ITO) dia fitaovana semiconductor karazana-n misy elanelana midadasika, be doped, miaraka amin'ny fifindran'ny hazavana hita maso avo lenta sy toetra fanoherana ambany, ary noho izany dia ampiasaina betsaka amin'ny sela masoandro, fampisehoana takelaka fisaka, varavarankely electrochromic, electroluminescence sarimihetsika manify tsy organika sy organika, diode laser sy detector ultraviolet ary fitaovana photovoltaic hafa, sns. Misy fomba maro hanomanana sarimihetsika ITO, anisan'izany ny fametrahana laser pulsed, sputtering, fametrahana etona simika, spray thermal decomposition, sol-gel, evaporation, sns. Anisan'ny fomba evaporation, ny evaporation beam electron no ampiasaina matetika indrindra.
Maro ny fomba fanomanana ny sarimihetsika ITO, anisan'izany ny fametrahana laser pulsed, ny sputtering, ny fametrahana etona simika, ny pyrolysis spray, ny sol-gel, ny etona sy ny sisa, izay ny fomba etona ampiasaina matetika indrindra dia ny etona amin'ny taratra elektrôna. Ny fanomanana ny etona amin'ny sarimihetsika ITO dia mazàna misy fomba roa: ny iray dia ny fampiasana firaka In, Sn madio avo lenta ho toy ny fitaovana fototra, ao amin'ny atmosfera oksizenina ho an'ny etona amin'ny fihetsika; ny faharoa dia ny fampiasana fangaro In2O3:, SnO2 madio avo lenta ho toy ny fitaovana fototra ho an'ny etona mivantana. Mba hanaovana sarimihetsika manana transmittance avo lenta sy resistivity ambany, dia matetika mitaky mari-pana ambony kokoa na ny filàna fanafanana manaraka ny sarimihetsika. HR Fallah et al. dia nampiasa ny fomba fanafanana taratra elektrôna amin'ny mari-pana ambany mba hametrahana sarimihetsika manify ITO, mba handinihana ny fiantraikan'ny tahan'ny fametrahana, ny mari-pana fanafanana ary ny masontsivana hafa amin'ny fizotran'ny asa amin'ny rafitry ny sarimihetsika, ny toetra elektrika sy optika. Nomarihin'izy ireo fa ny fampihenana ny tahan'ny fametrahana dia mety hampitombo ny transmittance sy hampihena ny resistivity amin'ny sarimihetsika ambolena amin'ny mari-pana ambany. Mihoatra ny 92% ny fifindran'ny hazavana hita maso, ary 7X10-4Ωcm ny resistivity. Nohafanaina tamin'ny hafanana 350~550℃ ny sarimihetsika ITO, ary hitany fa arakaraka ny maha-avo ny mari-pana fanafanana no tsara kokoa ny toetran'ny kristaly an'ny sarimihetsika ITO. Ny fifindran'ny hazavana hita maso an'ny sarimihetsika aorian'ny fanafanana amin'ny 550℃ dia 93%, ary eo amin'ny 37nm eo ho eo ny haben'ny voa. Ny fomba fanampiana plasma dia afaka mampihena ny mari-pana substrate mandritra ny fiforonan'ny sarimihetsika, izay anton-javatra manan-danja indrindra amin'ny fiforonan'ny sarimihetsika, ary ny kristaly koa no zava-dehibe indrindra. Ny fomba fanampiana plasma dia afaka mampihena ny mari-pana substrate mandritra ny fiforonan'ny sarimihetsika, ary ny sarimihetsika ITO azo avy amin'ny fametrahana dia manana fahombiazana tsara. Ny resistivity an'ny sarimihetsika ITO dia nomanin'i S. Laux et al. dia ambany dia ambany, 5 * 10-”Ωcm, ary ny fidiran'ny hazavana amin'ny 550nm dia latsaky ny 5%, ary miova ihany koa ny resistivity an'ny sarimihetsika sy ny bandwidth optika amin'ny alàlan'ny fanovana ny tsindrin'ny oksizenina mandritra ny fametrahana.
–Navoakan'nympanamboatra milina fanosotra bangaGuangdong Zhenhua
Fotoana fandefasana: 23 Martsa 2024