Panimula sa ITO Coating

Ang Indium tin oxide (Indium Tin Oxide, tinutukoy bilang ITO) ay isang malawak na band gap, mabigat na doped na n-type semiconductor materials, na may mataas na visible light transmittance at mababang resistivity characteristics, kaya malawakang ginagamit sa mga solar cell, flat panel display, electrochromic windows, inorganic at organic thin-film electroluminescence, laser diodes at ultraviolet detectors at iba pang photovoltaic devices, atbp. Maraming paraan ng paghahanda ng mga ITO films, kabilang ang pulsed laser deposition, sputtering, chemical vapor deposition, spray thermal decomposition, sol-gel, evaporation, atbp. Sa mga paraan ng evaporation, ang pinakakaraniwang ginagamit ay ang electron beam evaporation.

Maraming paraan upang ihanda ang ITO film, kabilang ang pulsed laser deposition, sputtering, chemical vapor deposition, spray pyrolysis, sol-gel, evaporation at iba pa, kung saan ang pinakakaraniwang ginagamit na paraan ng evaporation ay ang electron beam evaporation. Ang paghahanda ng evaporation ng mga ITO film ay karaniwang may dalawang paraan: ang una ay ang paggamit ng high-purity In, Sn alloy bilang pinagmulang materyal, sa oxygen atmosphere para sa reaction evaporation; ang pangalawa ay ang paggamit ng high-purity In2O3:, SnO2 mixture bilang pinagmulang materyal para sa direktang evaporation. Upang makagawa ng film na may mataas na transmittance at mababang resistivity, kadalasan ay nangangailangan ng mas mataas na temperatura ng substrate o ang pangangailangan para sa kasunod na annealing ng film. Ginamit nina HR Fallah et al. ang electron beam evaporation method sa mababang temperatura upang i-deposito ang mga ITO thin film, upang pag-aralan ang epekto ng deposition rate, annealing temperature at iba pang mga parameter ng proseso sa istruktura ng film, electrical at optical properties. Itinuro nila na ang pagpapababa ng deposition rate ay maaaring magpataas ng transmittance at magpababa sa resistivity ng mga low-temperature-grown films. Ang transmittance ng visible light ay higit sa 92%, at ang resistivity ay 7X10-4Ωcm. Pinainit nila ang mga ITO film na pinatubo sa temperatura ng silid sa 350~550℃, at natuklasan na mas mataas ang temperatura ng annealing, mas maganda ang crystalline properties ng mga ITO film. Ang visible light transmittance ng mga film pagkatapos ng annealing sa 550℃ ay 93%, at ang laki ng butil ay humigit-kumulang 37nm. Ang plasma-assisted method ay maaari ring bawasan ang temperatura ng substrate habang bumubuo ng film, na siyang pinakamahalagang salik sa pagbuo ng film, at ang crystallinity din ang pinakamahalaga. Ang plasma-assisted method ay maaari ring bawasan ang temperatura ng substrate habang bumubuo ng film, at ang ITO film na nakuha mula sa deposition ay may mahusay na performance. Ang resistivity ng ITO film na inihanda nina S. Laux et al. ay napakababa, 5*10-”Ωcm, at ang pagsipsip ng liwanag sa 550nm ay mas mababa sa 5%, at ang resistivity ng film at ang optical bandwidth ay nagbabago rin sa pamamagitan ng pagbabago ng oxygen pressure habang nagdedeposito.

–Inilabas ang artikulong ito nitagagawa ng vacuum coating machineGuangdong Zhenhua