Indium tin oxide (Indium Tin Oxide, e tsejoang e le ITO) ke lekhalo le leholo la sehlopha, thepa ea semiconductor ea mofuta oa n e nang le doped e ngata, e nang le phetisetso e phahameng ea leseli le bonahalang le litšobotsi tse tlase tsa resistivity, kahoo e sebelisoa haholo liseleng tsa letsatsi, lipontšong tse bataletseng tsa phanele, lifensetereng tsa electrochromic, electroluminescence ea inorganic le ea organic thin-film, li-laser diode le li-ultraviolet detectors le lisebelisoa tse ling tsa photovoltaic, jj. Ho na le mekhoa e mengata ea ho lokisa lifilimi tsa ITO, ho kenyeletsoa le pulsed laser deposition, sputtering, chemical vapor deposition, spray thermal decomposition, sol-gel, evaporation, jj. Har'a mokhoa oa evaporation, o sebelisoang haholo ke elektrone beam evaporation.
Ho na le mekhoa e mengata ea ho lokisa filimi ea ITO, ho kenyeletsoa le ho kenngoa ha laser ka pulsed, ho sputtering, ho kenngoa ha mouoane ka lik'hemik'hale, ho fafatsa pyrolysis, sol-gel, ho fetoha mouoane le tse ling, tseo mokhoa o sebelisoang haholo oa ho fetoha mouoane ke ho fetoha ha mahlaseli a electron beam. Ho lokisoa ha mouoane ha lifilimi tsa ITO hangata ho na le litsela tse peli: e 'ngoe ke tšebeliso ea motsoako oa In-high-purity In, Sn e le thepa ea mohloli, sepakapakeng sa oksijene bakeng sa ho fetoha mouoane ha karabelo; ea bobeli ke tšebeliso ea motsoako oa In-high-purity In2O3:, SnO2 e le thepa ea mohloli bakeng sa ho fetoha mouoane ka kotloloho. E le ho etsa filimi e nang le phetisetso e phahameng le resistivity e tlase, hangata ho hlokahala mocheso o phahameng oa substrate kapa tlhoko ea ho kenngoa ha filimi ka mor'a moo. HR Fallah le ba bang ba sebelisitse mokhoa oa ho fetoha mouoane oa mahlaseli a electron mochesong o tlase ho kenya lifilimi tse tšesaane tsa ITO, ho ithuta phello ea sekhahla sa ho kenngoa, mocheso oa ho kenngoa le liparamente tse ling tsa ts'ebetso sebopehong sa filimi, thepa ea motlakase le ea optical. Ba bontšitse hore ho theola sekhahla sa ho kenngoa ho ka eketsa phetisetso le ho fokotsa resistivity ea lifilimi tse holisitsoeng ka mocheso o tlase. Phetiso ea leseli le bonahalang e feta 92%, 'me resistivity ke 7X10-4Ωcm. Ba ile ba kenya lifilimi tsa ITO tse holisitsoeng mochesong oa kamore ho 350~550℃, 'me ba fumana hore ha mocheso oa annealing o phahame, thepa ea kristale ea lifilimi tsa ITO e ba betere. phetiso ea leseli le bonahalang ea lifilimi kamora ho kenya annealing ho 550℃ ke 93%, 'me boholo ba lijo-thollo bo ka ba 37nm. Mokhoa o thusoang ke plasma o ka boela oa fokotsa mocheso oa substrate nakong ea ho thehoa ha filimi, e leng ntlha ea bohlokoa ka ho fetisisa ho thehoeng ha filimi, 'me kristale le eona ke ea bohlokoa ka ho fetisisa. Mokhoa o thusoang ke plasma o ka boela oa fokotsa mocheso oa substrate nakong ea ho thehoa ha filimi, 'me filimi ea ITO e fumanoeng ho tsoa ho deposition e na le ts'ebetso e ntle. resistivity ea filimi ea ITO e lokiselitsoeng ke S. Laux et al. e tlase haholo, 5*10-”Ωcm, mme ho monyela ha lesedi ho 550nm ho ka tlase ho 5%, mme resistivity ya filimi le bandwidth ya optical le tsona di fetolwa ka ho fetola kgatello ya oksijene nakong ya ho bewa.
–Sengoloa sena se lokollotsoe kemoetsi oa mochini oa ho roala ka vacuum cleanerGuangdong Zhenhua
Nako ea poso: Hlakubele-23-2024