Indium tin oxide (ITO) là vật liệu bán dẫn loại n có khe năng lượng rộng, được pha tạp mạnh, có đặc tính truyền ánh sáng nhìn thấy cao và điện trở suất thấp, do đó được sử dụng rộng rãi trong pin mặt trời, màn hình phẳng, cửa sổ điện sắc, phát quang điện màng mỏng vô cơ và hữu cơ, điốt laser và máy dò tia cực tím cũng như các thiết bị quang điện khác, v.v. Có nhiều phương pháp chế tạo màng ITO, bao gồm lắng đọng laser xung, lắng đọng phún xạ, lắng đọng hơi hóa học, phân hủy nhiệt phun, sol-gel, bay hơi, v.v. Trong số các phương pháp bay hơi, phương pháp được sử dụng phổ biến nhất là bay hơi bằng chùm electron.
Có nhiều phương pháp để chế tạo màng ITO, bao gồm lắng đọng laser xung, lắng đọng phún xạ, lắng đọng hơi hóa học, nhiệt phân phun, sol-gel, bay hơi, v.v., trong đó phương pháp bay hơi được sử dụng phổ biến nhất là bay hơi chùm electron. Việc chế tạo màng ITO bằng phương pháp bay hơi thường có hai cách: một là sử dụng hợp kim In, Sn có độ tinh khiết cao làm vật liệu nguồn, trong môi trường oxy để bay hơi phản ứng; cách thứ hai là sử dụng hỗn hợp In2O3, SnO2 có độ tinh khiết cao làm vật liệu nguồn để bay hơi trực tiếp. Để tạo ra màng có độ truyền quang cao và điện trở suất thấp, nói chung cần nhiệt độ chất nền cao hơn hoặc cần phải ủ màng sau đó. HR Fallah và cộng sự đã sử dụng phương pháp bay hơi chùm electron ở nhiệt độ thấp để lắng đọng màng mỏng ITO, để nghiên cứu ảnh hưởng của tốc độ lắng đọng, nhiệt độ ủ và các thông số quy trình khác đến cấu trúc của màng, tính chất điện và quang học. Họ chỉ ra rằng việc giảm tốc độ lắng đọng có thể làm tăng độ truyền quang và giảm điện trở suất của màng được tạo ra ở nhiệt độ thấp. Độ truyền quang của ánh sáng nhìn thấy được lớn hơn 92%, và điện trở suất là 7X10-4Ωcm. Họ đã ủ các màng ITO được nuôi cấy ở nhiệt độ phòng ở 350~550℃, và nhận thấy rằng nhiệt độ ủ càng cao thì tính chất tinh thể của màng ITO càng tốt. Độ truyền quang của ánh sáng nhìn thấy được của các màng sau khi ủ ở 550℃ là 93%, và kích thước hạt khoảng 37nm. Phương pháp hỗ trợ plasma cũng có thể làm giảm nhiệt độ chất nền trong quá trình tạo màng, đây là yếu tố quan trọng nhất trong quá trình hình thành màng, và độ kết tinh cũng là yếu tố quan trọng nhất. Phương pháp hỗ trợ plasma cũng có thể làm giảm nhiệt độ chất nền trong quá trình tạo màng, và màng ITO thu được từ quá trình lắng đọng có hiệu suất tốt. Điện trở suất của màng ITO được chế tạo bởi S. Laux et al. Điện trở suất rất thấp, 5*10⁻⁶ Ωcm, và độ hấp thụ ánh sáng ở bước sóng 550nm nhỏ hơn 5%, đồng thời điện trở suất của màng và băng thông quang học cũng thay đổi khi thay đổi áp suất oxy trong quá trình lắng đọng.
–Bài viết này được phát hành bởiNhà sản xuất máy phủ chân khôngQuảng Đông Chấn Hoa
Thời gian đăng bài: 23/03/2024