O óxido de índio e estanho (ITO) é um material semicondutor do tipo n, fortemente dopado e com ampla banda proibida, caracterizado por alta transmitância na região do visível e baixa resistividade. Por isso, é amplamente utilizado em células solares, telas planas, janelas eletrocrômicas, eletroluminescência de filmes finos orgânicos e inorgânicos, diodos laser, detectores ultravioleta e outros dispositivos fotovoltaicos. Existem diversos métodos para a preparação de filmes de ITO, incluindo deposição por laser pulsado, pulverização catódica, deposição química em fase vapor, deposição térmica por spray, sol-gel e evaporação. Dentre os métodos de evaporação, o mais comum é a evaporação por feixe de elétrons.
Existem muitas maneiras de preparar filmes de ITO, incluindo deposição por laser pulsado, pulverização catódica, deposição química de vapor, pirólise por spray, sol-gel, evaporação, entre outras, sendo a evaporação por feixe de elétrons o método mais comum. A preparação de filmes de ITO por evaporação geralmente segue dois métodos: um utiliza uma liga de índio e estanho de alta pureza como material de origem, em atmosfera de oxigênio, para a evaporação reativa; o outro utiliza uma mistura de In₂O₃ e SnO₂ de alta pureza como material de origem para evaporação direta. Para obter filmes com alta transmitância e baixa resistividade, geralmente é necessário um substrato com temperatura mais elevada ou um recozimento subsequente do filme. HR Fallah et al. utilizaram o método de evaporação por feixe de elétrons em baixas temperaturas para depositar filmes finos de ITO, com o objetivo de estudar o efeito da taxa de deposição, da temperatura de recozimento e de outros parâmetros do processo sobre a estrutura, as propriedades elétricas e ópticas do filme. Eles apontaram que a redução da taxa de deposição poderia aumentar a transmitância e diminuir a resistividade dos filmes crescidos em baixa temperatura. A transmitância da luz visível é superior a 92% e a resistividade é de 7 x 10⁻⁴ Ωcm. Eles recozeram os filmes de ITO crescidos à temperatura ambiente a 350~550 °C e descobriram que quanto maior a temperatura de recozimento, melhor a propriedade cristalina dos filmes de ITO. A transmitância da luz visível dos filmes após o recozimento a 550 °C é de 93% e o tamanho do grão é de cerca de 37 nm. O método assistido por plasma também pode reduzir a temperatura do substrato durante a formação do filme, que é o fator mais importante na formação do filme, e a cristalinidade também é de suma importância. O método assistido por plasma também pode reduzir a temperatura do substrato durante a formação do filme, e o filme de ITO obtido pela deposição apresenta bom desempenho. A resistividade do filme de ITO preparado por S. Laux et al. é muito baixa, 5*10-”Ωcm, e a absorção de luz a 550nm é inferior a 5%, sendo que a resistividade do filme e a largura de banda óptica também são alteradas pela variação da pressão de oxigênio durante a deposição.
–Este artigo foi publicado porfabricante de máquinas de revestimento a vácuoGuangdongZhenhua
Data da publicação: 23/03/2024