Indium tin oxide (Indium Tin Oxide, gọi tắt là ITO) là vật liệu bán dẫn loại n có khoảng cách băng rộng, được pha tạp nhiều, có độ truyền ánh sáng khả kiến cao và đặc tính điện trở suất thấp, do đó được sử dụng rộng rãi trong pin mặt trời, màn hình phẳng, cửa sổ điện sắc, phát quang màng mỏng vô cơ và hữu cơ, điốt laser và máy dò tia cực tím và các thiết bị quang điện khác, v.v. Có nhiều phương pháp chế tạo màng ITO, bao gồm lắng đọng laser xung, phun, lắng đọng hơi hóa học, phân hủy nhiệt phun, sol-gel, bay hơi, v.v. Trong số các phương pháp bay hơi, phương pháp được sử dụng phổ biến nhất là bay hơi chùm electron.
Có nhiều cách để chế tạo màng ITO, bao gồm lắng đọng laser xung, phun, lắng đọng hơi hóa học, nhiệt phân phun, sol-gel, bay hơi, v.v., trong đó phương pháp bay hơi được sử dụng phổ biến nhất là bay hơi chùm electron. Việc chế tạo màng ITO bằng phương pháp bay hơi thường có hai cách: một là sử dụng hợp kim In, Sn có độ tinh khiết cao làm vật liệu nguồn, trong bầu khí quyển oxy để phản ứng bay hơi; thứ hai là sử dụng hỗn hợp In2O3:, SnO2 có độ tinh khiết cao làm vật liệu nguồn để bay hơi trực tiếp. Để tạo ra màng có độ truyền qua cao và điện trở suất thấp, thường yêu cầu nhiệt độ đế cao hơn hoặc cần ủ màng sau đó. HR Fallah và cộng sự đã sử dụng phương pháp bay hơi chùm electron ở nhiệt độ thấp để lắng đọng màng mỏng ITO, để nghiên cứu ảnh hưởng của tốc độ lắng đọng, nhiệt độ ủ và các thông số quy trình khác đến cấu trúc của màng, tính chất điện và quang. Họ chỉ ra rằng việc giảm tốc độ lắng đọng có thể làm tăng độ truyền qua và làm giảm điện trở suất của màng được phát triển ở nhiệt độ thấp. Độ truyền sáng khả kiến là hơn 92%, và điện trở suất là 7X10-4Ωcm. Họ ủ các màng ITO được phát triển ở nhiệt độ phòng ở 350~550℃, và thấy rằng nhiệt độ ủ càng cao thì tính chất tinh thể của màng ITO càng tốt. Độ truyền sáng khả kiến của màng sau khi ủ ở 550℃ là 93%, và kích thước hạt khoảng 37nm. Phương pháp hỗ trợ plasma cũng có thể làm giảm nhiệt độ của chất nền trong quá trình hình thành màng, đây là yếu tố quan trọng nhất trong quá trình hình thành màng và độ tinh thể cũng là yếu tố quan trọng nhất. Phương pháp hỗ trợ plasma cũng có thể làm giảm nhiệt độ của chất nền trong quá trình hình thành màng và màng ITO thu được từ quá trình lắng đọng có hiệu suất tốt. Điện trở suất của màng ITO do S. Laux và cộng sự chế tạo. rất thấp, 5*10-”Ωcm, và độ hấp thụ ánh sáng ở 550nm nhỏ hơn 5%, điện trở suất của màng và băng thông quang học cũng thay đổi khi thay đổi áp suất oxy trong quá trình lắng đọng.
– Bài viết này được phát hành bởinhà sản xuất máy phủ chân khôngQuảng Đông Chấn Hoa
Thời gian đăng: 23-03-2024