O le ā le Mataupu Faavae o le Galuega a le masini Ion Plating

Ufiufi ionmasini na afua mai i le aʻoaʻoga na fautuaina e DM Mattox i le vaitau o le 1960, ma na amata ai faʻataʻitaʻiga talafeagai i lena taimi; Seia oʻo i le 1971, na lolomiina ai e Chambers ma isi le tekinolosi o le electron beam ion plating; O le tekinolosi reactive evaporation plating (ARE) na faʻailoa mai i le lipoti a Bunshah i le 1972, ina ua gaosia ituaiga ata tifaga super-hard e pei o le TiC ma le TiN; I le 1972 foʻi, na faʻaaogaina ai e Smith ma Molley le tekinolosi hollow cathode i le faiga o le ufiufi. I le vaitau o le 1980, ua oʻo atu le ion plating i Saina i le tulaga o le faʻaaogaina i alamanuia, ma o faiga o le ufiufi e pei o le vacuum multi-arc ion plating ma le arc-discharge ion plating na faʻaalia faʻasolosolo.

O le faagasologa atoa o le galue o le vacuum ion plating e faapenei: muamua,pamule potu e fa'amamā ai le ea, ona sosoo ai lea mafa'atalile mamafa o le vacuum i le 4X10 ⁻ ³ Pape sili atu, e tatau ona faʻafesoʻotaʻi le sapalai eletise maualuga le voltage ma fausia se vaega plasma maualalo le vevela o le kesi faʻasaʻoloto maualalo le voltage i le va o le substrate ma le evaporator. Faʻafesoʻotaʻi le electrode substrate ma le 5000V DC negative high voltage e fausia ai se faʻasaʻolotoina o le cathode. E gaosia ions kesi inert e lata ane i le vaega negative glow. Latou te ulufale atu i le vaega pogisa o le cathode ma faʻavavevaveina e le fanua eletise ma faʻapomuina le pito i luga o le substrate. O se faiga faʻamamāina lea, ona ulufale lea i le faiga ufiufi. E ala i le aafiaga o le faʻavevela o le pomu, o nisi mea e ufiufi ai e faʻapuna. E ulufale atu le vaega plasma i protons, fetoʻai ma electrons ma ions kesi inert, ma o se vaega itiiti o ia mea e faʻaionized, O nei ions faʻaionized ma le malosi maualuga o le a faʻapomuina le pito i luga o le ata tifaga ma faʻaleleia atili ai le lelei o le ata tifaga i se tulaga.

O le mataupu faavae o le ufiufiina o le ion vacuum o le: i totonu o le potu vacuum, faʻaaogaina le faʻagasologa o le faʻasaʻolotoina o le kesi poʻo le vaega ionized o le mea ua faʻapuna, i lalo o le osofaʻiga a le ion o mea ua faʻapuna poʻo ion kesi, faʻatasi ai ona teuina nei mea ua faʻapuna poʻo a latou mea e tali atu i luga o le substrate e maua ai se ata manifinifi. O le ufiufiina o le ionmasinie tu'ufa'atasia ai le fa'amamago o le vacuum, tekinolosi plasma ma le gas glow discharge, lea e le gata ina fa'aleleia atili ai le lelei o le ata tifaga, ae fa'alauteleina ai fo'i le tele o fa'aoga o le ata tifaga. O lelei o lenei faiga o le malosi o le diffraction, lelei o le pipii o le ata tifaga, ma mea vali eseese. O le mataupu faavae o le ion plating na muamua fautuaina e DM Mattox. E tele ituaiga o ion plating. O le ituaiga e sili ona taatele o le fa'avevela o le fa'amamago, e aofia ai le fa'avevela tete'e, fa'avevela o le electron beam, fa'avevela o le plasma electron beam, fa'avevela fa'aosofia maualuga ma isi metotia fa'avevela.