Επικάλυψη ιόντωνμηχανή προήλθε από τη θεωρία που προτάθηκε από τον DM Mattox τη δεκαετία του 1960, και αντίστοιχα πειράματα ξεκίνησαν εκείνη την εποχή.Μέχρι το 1971, οι Chambers και άλλοι δημοσίευσαν την τεχνολογία της επιμετάλλωσης ιόντων δέσμης ηλεκτρονίων.Η τεχνολογία αντιδραστικής επιμετάλλωσης εξάτμισης (ARE) επισημάνθηκε στην έκθεση Bunshah το 1972, όταν παρήχθησαν τύποι εξαιρετικά σκληρών φιλμ όπως TiC και TiN.Επίσης το 1972, οι Smith και Molley υιοθέτησαν την τεχνολογία της κοίλης καθόδου στη διαδικασία επίστρωσης.Μέχρι τη δεκαετία του 1980, η επιμετάλλωση ιόντων στην Κίνα είχε επιτέλους φτάσει στο επίπεδο της βιομηχανικής εφαρμογής και οι διαδικασίες επίστρωσης όπως η επιμετάλλωση ιόντων πολλαπλών τόξων κενού και η επιμετάλλωση ιόντων εκκένωσης τόξου είχαν εμφανιστεί διαδοχικά.
Η όλη διαδικασία εργασίας της επιμετάλλωσης ιόντων κενού είναι η εξής: πρώτον,αντλίαο θάλαμος κενού και μετάΠερίμενετην πίεση κενού στα 4Χ10-3 Paή καλύτερα, είναι απαραίτητο να συνδέσετε το τροφοδοτικό υψηλής τάσης και να δημιουργήσετε μια περιοχή πλάσματος χαμηλής θερμοκρασίας αερίου εκκένωσης χαμηλής τάσης μεταξύ του υποστρώματος και του εξατμιστή.Συνδέστε το ηλεκτρόδιο υποστρώματος με αρνητική υψηλή τάση 5000V DC για να σχηματίσετε μια εκκένωση λάμψης της καθόδου.Ιόντα αδρανούς αερίου δημιουργούνται κοντά στην περιοχή αρνητικής λάμψης.Εισέρχονται στη σκοτεινή περιοχή της καθόδου και επιταχύνονται από το ηλεκτρικό πεδίο και βομβαρδίζουν την επιφάνεια του υποστρώματος.Αυτή είναι μια διαδικασία καθαρισμού και, στη συνέχεια, εισέλθετε στη διαδικασία επίστρωσης.Μέσω της επίδρασης της θέρμανσης με βομβαρδισμό, ορισμένα υλικά επιμετάλλωσης εξατμίζονται.Η περιοχή του πλάσματος εισέρχεται στα πρωτόνια, συγκρούεται με ηλεκτρόνια και ιόντα αδρανούς αερίου και ένα μικρό μέρος τους ιονίζεται. Αυτά τα ιονισμένα ιόντα με υψηλή ενέργεια θα βομβαρδίσουν την επιφάνεια του φιλμ και θα βελτιώσουν την ποιότητα του φιλμ σε κάποιο βαθμό.
Η αρχή της επιμετάλλωσης ιόντων κενού είναι: στον θάλαμο κενού, χρησιμοποιώντας το φαινόμενο εκκένωσης αερίου ή το ιονισμένο μέρος του εξατμισμένου υλικού, κάτω από τον βομβαρδισμό των ιόντων ή ιόντων αερίων του εξατμισμένου υλικού, εναποθέτουμε ταυτόχρονα αυτές τις εξατμισμένες ουσίες ή τα αντιδραστήρια τους στο υπόστρωμα. για να αποκτήσετε ένα λεπτό φιλμ.Η επίστρωση ιόντωνμηχανήσυνδυάζει την εξάτμιση υπό κενό, την τεχνολογία πλάσματος και την εκκένωση λάμψης αερίου, η οποία όχι μόνο βελτιώνει την ποιότητα του φιλμ, αλλά επεκτείνει και το εύρος εφαρμογής του φιλμ.Τα πλεονεκτήματα αυτής της διαδικασίας είναι η ισχυρή περίθλαση, η καλή πρόσφυση μεμβράνης και τα διάφορα υλικά επίστρωσης.Η αρχή της επιμετάλλωσης ιόντων προτάθηκε για πρώτη φορά από τον DM Mattox.Υπάρχουν πολλά είδη επιμετάλλωσης ιόντων.Ο πιο κοινός τύπος είναι η θέρμανση με εξάτμιση, συμπεριλαμβανομένης της θέρμανσης με αντίσταση, της θέρμανσης με δέσμη ηλεκτρονίων, της θέρμανσης με δέσμη ηλεκτρονίων πλάσματος, της επαγωγικής θέρμανσης υψηλής συχνότητας και άλλων μεθόδων θέρμανσης.
Ώρα δημοσίευσης: Φεβ-14-2023