Indium tin oxide (Indium Tin Oxide, e taʻua o le ITO) o se va tele faʻaili, mamafa doped n-ituaiga mea semiconductor, ma le maualuga vaaia transmittance malamalama ma uiga resistivity maualalo, ma faʻapea ona faʻaaogaina lautele i sela sola, faʻaaliga laulau mafolafola, faamalama electrochromic, inorganic ma organic manifinifi-film electroluminescence, leisa diodes ma masini ultraviolet o loo i ai masini ma isi mea e maua ai le ultraviolet, ma isi mea. ata tifaga, e aofia ai le pulsed leisa deposition, sputtering, vailaʻau vapor deposition, spray thermal decomposition, sol-gel, evaporation, ma isi. Faatasi ai ma le auala evaporation, o le sili ona masani ona faaaogaina o le afi eletise eletise.
E tele auala e saunia ai le ata tifaga ITO, e aofia ai le faʻaogaina o le laser pulsed, sputtering, chemical vapor deposition, spray pyrolysis, sol-gel, evaporation ma isi, lea e masani ona faʻaaogaina auala evaporation o le eletise eletise. Evaporation sauniuniga o ata tifaga ITO e masani ona i ai ni auala se lua: o le tasi o le faaaogaina o le maualuga-mama I, uʻamea Sn e avea ma mea puna, i le ea okesene mo le faʻasao faʻafefe; o le lona lua o le faʻaaogaina o In2O3 mama maualuga:, SnO2 faʻafefiloi e avea ma mea faʻapogai mo le faʻasaʻo saʻo. Ina ia mafai ona faia le ata i luga o le transmittance maualuga ma maualalo resistivity, e masani ona manaomia se maualuga substrate vevela po o le manaomia mo le annealing mulimuli ane o le ata. HR Fallah et al. fa'aaogaina le auala evaporation ala eletise i le maualalo o le vevela e teu ai ata manifinifi ITO, e su'esu'e ai le aafiaga o le fua faatatau o le deposition, vevela annealing ma isi faiga ta'iala i luga o le fausaga o le ata tifaga, mea eletise ma opitika. Na latou fa'ailoa mai o le fa'aitiitia o le fua o le fa'aputuina e mafai ona fa'atuputeleina ai le felauaiga ma fa'aitiitia ai le tete'e mai o ata e maua i lalo o le vevela. O le transmittance o le malamalama vaaia e sili atu i le 92%, ma le resistivity o le 7X10-4Ωcm. latou annealed ata tifaga ITO tupu i le vevela o le potu i le 350 ~ 550 ℃, ma iloa ai o le maualuga o le vevela o le annealing, o le sili atu lea o meatotino tioata o ata tifaga ITO. o le faʻaalia o le malamalama o ata tifaga pe a uma ona faʻafefe i le 550 ℃ o le 93%, ma o le saito e tusa ma le 37nm. o le plasma-fesoasoani auala e mafai foi ona faʻaitiitia ai le vevela o le substrate i le taimi o le faʻatulagaina o ata, o le mea sili lea ona taua i le faʻavaeina o le ata, ma o le tioata e sili ona taua. Ole auala e fesoasoani ile plasma e mafai foi ona faʻaitiitia ai le vevela o le substrate i le taimi o le faʻavaeina o ata, ma o le ata ITO e maua mai le tuʻuina atu e lelei le faʻatinoga. le tetee o le ata ITO na saunia e S. Laux et al. e matua maualalo lava, 5 * 10- "Ωcm, ma o le absorption o le malamalama i le 550nm e itiiti ifo nai lo le 5%, ma o le tetee o le ata tifaga ma le opitika bandwidth e suia foi e ala i le suia o le mamafa o le okesene i le taimi o le deposition.
–O lenei tusiga ua tatalaina emasini fa'apipi'i gaogao gaosimeaGuangdong Zhenhua
Taimi meli: Mati-23-2024