Indium tin oxide (Indium Tin Oxide, antsoina hoe ITO) dia elanelana midadasika be, doped be dia be ny fitaovana semiconductor n-karazana, miaraka amin'ny fifindran'ny hazavana hita maso avo sy ny toetran'ny resistivity ambany, ary noho izany dia ampiasaina betsaka amin'ny sela masoandro, fampisehoana tontonana fisaka, varavarankely electrochromic, inorganic sy organika manify-film electroluminescence, laser diodes sy ny fomba fiomanana amin'ny ultraviolet, sns. sarimihetsika, anisan'izany ny pulsed tamin'ny laser deposition, sputtering, simika etona deposition, spray thermal decomposition, sol-gel, evaporation, sns. Anisan'ny fomba etona, ny tena matetika ampiasaina dia ny electron beam evaporation.
Misy fomba maro hanomanana ny sarimihetsika ITO, anisan'izany ny pulsed tamin'ny laser deposition, sputtering, simika etona deposition, spray pyrolysis, sol-gel, etona sy ny sisa, izay ny tena fampiasa matetika fomba etona dia electron taratra evaporation. Evaporation fanomanana ny ITO sarimihetsika matetika manana fomba roa: ny iray dia ny fampiasana ny fahadiovana avo In, Sn firaka ho toy ny loharanon-karena, ao amin'ny oksizenina rivo-piainana noho ny fanehoan-kevitra evaporation; ny faharoa dia ny fampiasana ny In2O3:, SnO2 fangarony ho loharanon'ny etona mivantana. Mba hahatonga ny sarimihetsika amin'ny fifindran'ny avo sy ambany resistivity, amin'ny ankapobeny dia mitaky hafanana substrate ambony kokoa na ny ilaina ny manaraka annealing ny sarimihetsika. HR Fallah et al. nampiasa ny electron taratra evaporation fomba amin'ny mari-pana ambany hametraka ITO manify sarimihetsika, mba handalina ny vokatry ny deposition tahan'ny, annealing mari-pana sy ny dingana hafa masontsivana amin'ny firafitry ny sarimihetsika, elektrika sy Optical fananana. Nasongadin'izy ireo fa ny fampidinana ny taham-pamokarana dia mety hampitombo ny fampitana ary hampihena ny fanoherana ny sarimihetsika ambany hafanana. Ny fampitana ny hazavana hita maso dia mihoatra ny 92%, ary ny resistivity dia 7X10-4Ωcm. izy ireo annealed ny ITO sarimihetsika nitombo tao amin'ny efitra mari-pana amin'ny 350 ~ 550 ℃, ary hita fa ny ambony ny annealing mari-pana dia ny tsara kokoa ny kristaly fananana ny ITO sarimihetsika. ny fifindran'ny hazavana hita maso amin'ny sarimihetsika aorian'ny fametahana amin'ny 550 ℃ dia 93%, ary ny haben'ny voa dia eo amin'ny 37nm. ny fomba fanampiana plasma dia afaka mampihena ihany koa ny mari-pana amin'ny substrate mandritra ny fananganana sarimihetsika, izay zava-dehibe indrindra amin'ny fananganana ny sarimihetsika, ary ny kristaly ihany koa no zava-dehibe indrindra. Ny fomba ampian'ny plasma dia afaka mampihena ny mari-pana amin'ny substrate mandritra ny fananganana sarimihetsika, ary ny sarimihetsika ITO azo avy amin'ny fametrahana dia manana fampisehoana tsara. ny fanoherana ny sarimihetsika ITO nomanin'i S. Laux et al. dia ambany dia ambany, 5 * 10- "Ωcm, ary ny absorption ny hazavana amin'ny 550nm dia latsaky ny 5%, ary ny resistivity ny sarimihetsika sy ny Optical Bandwidth dia niova koa amin'ny alalan'ny fanovana ny oksizenina tsindry mandritra ny deposition.
– Ity lahatsoratra ity dia navoakan'nyVacuum coating mpanamboatra milinaGuangdong Zhenhua
Fotoana fandefasana: Mar-23-2024