Indiumzinnoxid (Indiumzinnoxid, och bekannt als ITO) ass e staark dotiert Hallefleedermaterial vum n-Typ mat enger breeder Bandlück, mat héijer Liichttransmittanz a gerénger Widderstandsfäegkeet, a gëtt dofir wäit verbreet a Solarzellen, Flachbildschirmer, elektrochromesche Fënsteren, anorganescher an organescher Dënnschicht-Elektrolumineszenz, Laserdioden an Ultraviolettdetekteren an aner photovoltaesch Apparater, etc. benotzt. Et gi vill Methode fir ITO-Filmer ze preparéieren, dorënner gepulste Laseroflagerung, Sputtering, chemesch Gasoflagerung, Spraythermesch Zersetzung, Sol-Gel, Verdampfung, etc. Ënnert de Verdampfungsmethoden ass déi am meeschte verbreet Elektronestrahlverdampfung.
Et gi vill Méiglechkeeten fir ITO-Filmer virzebereeden, dorënner gepulste Laseroflagerung, Sputterung, chemesch Gasoflagerung, Spraypyrolyse, Sol-Gel, Verdampfung a sou weider, vun deenen déi meescht benotzt Verdampfungsmethod d'Elektronestrahlverdampfung ass. D'Verdampfungsvirbereedung vun ITO-Filmer gëtt et normalerweis zwou Méiglechkeeten: eng ass d'Benotzung vun enger héichreiner In,Sn-Legierung als Quellmaterial, an der Sauerstoffatmosphär fir d'Reaktiounsverdampfung; déi zweet ass d'Benotzung vun enger héichreiner In2O3:,SnO2-Mëschung als Quellmaterial fir direkt Verdampfung. Fir e Film mat héijer Transmittanz a niddregem Widderstand ze maachen, ass normalerweis eng méi héich Substrattemperatur erfuerderlech oder d'Noutwendegkeet fir e spéideren Glühfilm. HR Fallah et al. hunn d'Elektronestrahlverdampfungsmethod bei niddregen Temperaturen benotzt fir ITO-Dënnfilmer ofzesetzen, fir den Effekt vun der Oflagerungsquote, der Glühtemperatur an aner Prozessparameter op d'Struktur vum Film, elektresch an optesch Eegeschaften ze studéieren. Si hunn drop higewisen, datt d'Senkung vun der Oflagerungsquote d'Transmittanz erhéije kann an de Widderstand vun den niddregtemperaturgewuessene Filmer erofsetzen kann. D'Transmittanz vu siichtbarem Liicht ass méi wéi 92%, an de Widderstand ass 7X10-4Ωcm. Si hunn d'ITO-Filmer, déi bei Raumtemperatur bei 350~550℃ gewuess sinn, geglüht a festgestallt, datt wat méi héich d'Glühtemperatur ass, wat besser d'kristallin Eegeschaft vun den ITO-Filmer ass. D'Transmittanz vu siichtbarem Liicht vun de Filmer nom Glühen bei 550℃ ass 93%, an d'Käregréisst ass ongeféier 37nm. Déi plasmagestëtzte Method kann och d'Substrattemperatur während der Filmbildung reduzéieren, wat de wichtegste Faktor bei der Bildung vum Film ass, an d'Kristallinitéit ass och dee wichtegsten. Déi plasmagestëtzte Method kann och d'Substrattemperatur während der Filmbildung reduzéieren, an den ITO-Film, deen aus der Oflagerung kritt gëtt, huet eng gutt Leeschtung. De Widderstand vum ITO-Film, dee vum S. Laux et al. virbereet gouf. ass ganz niddreg, 5*10-”Ωcm, an d'Absorptioun vum Liicht bei 550nm ass manner wéi 5%, an de Widderstand vum Film an d'optesch Bandbreet ginn och geännert duerch Ännerung vum Sauerstoffdrock während der Oflagerung.
– Dësen Artikel gouf publizéiert vunHiersteller vu VakuumbeschichtungsmaschinnenGuangdong Zhenhua
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 23. Mäerz 2024