Индий қалайы оксиді (Indium Tin Oxide, ITO деп аталады) - кең жолақ саңылауы, қатты легирленген n-типті жартылай өткізгіш материалдар, жоғары көрінетін жарық өткізгіштігі және төмен кедергі сипаттамалары бар, сондықтан күн батареяларында, жалпақ панельдік дисплейлерде, электрохромдық терезелерде, бейорганикалық және органикалық фильтрлер, жұқа электродтар және ультракүлгін детекторлар және басқа да фотоэлектрлік құрылғылар және т.б.ИТО пленкаларын дайындаудың көптеген әдістері бар, соның ішінде импульстік лазермен тұндыру, шашырату, химиялық буларды тұндыру, спрей термиялық ыдырау, золь-гель, булану және т.б. Булану әдісінің ішінде ең көп қолданылатыны электронды сәулелік булану.
ITO пленкасын дайындаудың көптеген әдістері бар, соның ішінде импульстік лазермен тұндыру, шашырату, химиялық буларды тұндыру, шашыратқыш пиролиз, золь-гель, булану және т.б., олардың ішінде ең көп қолданылатын булану әдісі электронды сәулелік булану болып табылады. ITO қабықшаларын буланумен дайындау әдетте екі жолмен жүзеге асырылады: бірі - реакцияның булануы үшін оттегі атмосферасында бастапқы материал ретінде жоғары таза In, Sn қорытпасын пайдалану; екіншісі – тікелей булану үшін бастапқы материал ретінде тазалығы жоғары In2O3:, SnO2 қоспасын пайдалану. Жоғары өткізгіштігі мен төмен кедергісі бар пленканы жасау үшін, әдетте, субстраттың жоғары температурасын немесе пленканы кейіннен жасыту қажеттілігін талап етеді. HR Fallah et al. ITO жұқа қабықшаларын тұндыру үшін төмен температурада электронды сәулелік булану әдісін қолданды, тұндыру жылдамдығының, күйдіру температурасының және басқа процесс параметрлерінің пленка құрылымына, электрлік және оптикалық қасиеттеріне әсерін зерттеу. Олар тұндыру жылдамдығын төмендету төмен температурада өсірілген пленкалардың өткізгіштігін арттырып, кедергісін төмендетуі мүмкін екенін атап өтті. Көрінетін жарықтың өткізгіштігі 92% жоғары, ал кедергісі 7X10-4Ωсм. олар бөлме температурасында 350 ~ 550 ℃ температурада өсірілген ITO пленкаларын күйдірді және жасыту температурасы неғұрлым жоғары болса, ITO пленкаларының кристалдық қасиеті соғұрлым жақсы болатынын анықтады. 550 ℃ күйдіруден кейінгі пленкалардың көрінетін жарық өткізгіштігі 93%, ал түйіршік мөлшері шамамен 37 нм. плазмалық әдіс сонымен қатар пленка түзілу кезінде субстрат температурасын төмендете алады, бұл пленканың пайда болуының ең маңызды факторы болып табылады және кристалдылық та ең маңызды болып табылады. Плазма көмегімен қолданылатын әдіс пленка түзу кезінде субстрат температурасын да төмендете алады және тұндыру нәтижесінде алынған ITO пленкасы жақсы өнімділікке ие. S. Laux және т.б. дайындаған ITO фильмінің кедергісі. өте төмен, 5*10-”Ωсм, ал 550нм-де жарықтың жұтылуы 5%-дан аз, пленка мен оптикалық өткізу қабілеті де тұндыру кезінде оттегі қысымын өзгерту арқылы өзгереді.
– Бұл мақаланы шығарғанвакуумды қаптау машинасының өндірушісіГуандун Чжэнхуа
Хабарлама уақыты: 23 наурыз 2024 ж