ღრუ კათოდური იონური საფარის პროცესი

ღრუ კათოდური იონური საფარის დაფარვის პროცესი შემდეგია:

1、ჩადეთ ნიკაპის ზოდები ჩასაშენებელ ჭაში.

2, სამუშაო ნაწილის დამონტაჟება.

3, 5×10-3Pa-მდე ევაკუაციის შემდეგ, ვერცხლის მილიდან საფარის კამერაში შეჰყავთ არგონის გაზი და ვაკუუმის დონე დაახლოებით 100Pa-ია.

4. ჩართეთ გადახრის ძალა.

5. ღრუ კათოდური განმუხტვის ანთების მიზნით რკალური დენის ჩართვის შემდეგ, ღილაკისებრ მილში წარმოიქმნება ნათების განმუხტვა, განმუხტვის ძაბვაა 800~1000 ვოლტი, რკალის გამაძლიერებელი დენი არის 30~50 ა. ნათების განმუხტვის ღრუ კათოდური ეფექტის გამო, მაღალი ნათების განმუხტვის დენის სიმკვრივეა, ვერცხლის მილში ვირთხის იონების მაღალი სიმკვრივე ბომბავს ხედვის მილის კედელს, იწვევს მილის კედლის სწრაფ გაცხელებას ელექტრონული ნაკადის გამოსხივებამდე, განმუხტვის რეჟიმი ნათების განმუხტვიდან უეცრად იცვლება რკალურ განმუხტვაში, ძაბვაა 40~70 ვოლტი, დენი არის 80~300 ა. ვერცხლის მილის ტემპერატურა აღწევს 2300 კ-ს ზემოთ, ინკანდესენტურია, გამოყოფს რკალური ელექტრონების მაღალი სიმკვრივის ნაკადს მილიდან და ანოდში იგზავნება.

6. ვაკუუმის დონის რეგულირება. ღრუ კათოდური პისტოლეტიდან გამომავალი მანათობელი გამონადენის ვაკუუმის დონე დაახლოებით 100 პა-ია, ხოლო საფარის ვაკუუმის ხარისხი 8×10-1~2 პა-ა. ამიტომ, რკალური განმუხტვის ანთების შემდეგ, რაც შეიძლება მალე შეამცირეთ შემომავალი არგონის გაზი და დაარეგულირეთ ვაკუუმის დონე საფარისთვის შესაფერის დიაპაზონამდე.

7, ტიტანით მოპირკეთებული საბაზისო ფენა. ელექტრონების ნაკადი ანოდურად დაშლილ ჩინური ლითონის ზოდზე, კინეტიკური ენერგიის თერმულ ენერგიად გარდაქმნა, ჩინური ლითონის აორთქლება გაცხელებით, ორთქლის ატომები აღწევენ სამუშაო ნაწილზე ტიტანის აპკის წარმოქმნით.

8. TiN-ის დალექვა. აზოტის აირი მიეწოდება საფარის კამერას, აზოტის აირი და აორთქლებული ატომები იონიზდება აზოტისა და ტიტანის იონებად. ტიტანის ორთქლის ატომების დაბალი ენერგიის ელექტრონების მკვრივ ნაკადებთან არაელასტიური შეჯახების ალბათობა მაღალია. ლითონის დისოციაციის სიჩქარე 20%-40%-მდეა. ტიტანის იონები უფრო მეტად რეაგირებენ ქიმიურად რეაქციულ აირის აზოტთან. დალექვისას მიიღება ნიტრიდის მანტიის აპკის ფენა. ღრუ კათოდური ქვემეხი ერთდროულად აორთქლების წყაროცაა. იონიზაციის კიდევ ერთი წყარო. დაფარვის დროს, ტიტანის გარშემო ელექტრომაგნიტური ხვეულის დენიც უნდა დარეგულირდეს. ელექტრონული სხივი კოლაფსის ცენტრში უნდა იყოს მიმართული. ამრიგად, ელექტრონული ნაკადის სიმძლავრის სიმკვრივე იზრდება.

9. გამორთეთ ელექტრომომარაგება. მას შემდეგ, რაც ფირის სისქე მიაღწევს წინასწარ განსაზღვრულ სისქის ზღვარს, გამორთეთ რკალური კვების წყარო, ელექტრომომარაგება და ჰაერის მიწოდება.