Indium timah oksida (Indium Tin Oxide, diarani minangka ITO) punika longkangan band sudhut, akeh banget doped bahan semikonduktor n-jinis, karo transmitansi cahya katon dhuwur lan karakteristik resistivity kurang, lan kanthi mangkono digunakake digunakake ing sel solar, tampilan panel warata, jendhela electrochromic, anorganik lan organik film tipis electroluminescence, dioda laser lan piranti detektor ultraviolet, etc. film, kalebu deposition laser pulsed, sputtering, deposition uap kimia, dekomposisi termal semprotan, sol-gel, penguapan, etc. Antarane cara penguapan, sing paling umum digunakake yaiku penguapan sinar elektron.
Ana akeh cara kanggo nyiapake film ITO, kalebu deposisi laser pulsed, sputtering, deposisi uap kimia, pirolisis semprotan, sol-gel, penguapan lan liya-liyane, sing cara penguapan sing paling umum digunakake yaiku penguapan sinar elektron. Persiapan penguapan film ITO biasane duwe rong cara: siji yaiku nggunakake kemurnian dhuwur Ing, Sn alloy minangka bahan sumber, ing atmosfer oksigen kanggo penguapan reaksi; kaloro nggunakake In2O3 kemurnian dhuwur:, dicampur SnO2 minangka bahan sumber kanggo penguapan langsung. Kanggo nggawe film kanthi transmitansi dhuwur lan resistivitas sing kurang, umume mbutuhake suhu substrat sing luwih dhuwur utawa mbutuhake annealing film kasebut. HR Fallah et al. nggunakake cara penguapan sinar elektron ing suhu sing kurang kanggo nyetop film tipis ITO, kanggo nyinaoni efek tingkat deposisi, suhu annealing lan paramèter proses liyane ing struktur film, sifat listrik lan optik. Dheweke nuduhake manawa nyuda tingkat deposisi bisa nambah transmisi lan nyuda resistensi film sing ditanam ing suhu rendah. Transmisi cahya katon luwih saka 92%, lan resistivitas 7X10-4Ωcm. padha annealed film ITO thukul ing suhu kamar ing 350 ~ 550 ℃, lan ketemu sing luwih dhuwur suhu annealing punika, sing luwih sifat kristal film ITO. Transmisi cahya sing katon saka film sawise annealing ing 550 ℃ yaiku 93%, lan ukuran gandum kira-kira 37nm. cara plasma-dibantu uga bisa nyuda suhu landasan sak tatanan film, kang faktor paling penting ing tatanan saka film, lan crystallinity uga paling penting. Cara sing dibantu plasma uga bisa nyuda suhu substrat sajrone pambentukan film, lan film ITO sing dipikolehi saka deposisi nduweni kinerja sing apik. resistivity saka film ITO disiapake dening S. Laux et al. kurang banget, 5 * 10-”Ωcm, lan panyerepan cahya ing 550nm kurang saka 5%, lan resistivitas film lan bandwidth optik uga diganti kanthi ngganti tekanan oksigen sajrone deposisi.
– Artikel iki dirilis deningpabrikan mesin lapisan vakumGuangdong Zhenhua
Wektu kirim: Mar-23-2024