Իոնային ծածկույթմեքենա ծագել է Դ.Մ. Մաթոքսի կողմից 1960-ականներին առաջարկված տեսությունից, և համապատասխան փորձերը սկսվել են այդ ժամանակ։ Մինչև 1971 թվականը Չեմբերսը և ուրիշներ հրապարակել են էլեկտրոնային ճառագայթային իոնային ծածկույթապատման տեխնոլոգիան։ Ռեակտիվ գոլորշիացման (ARE) տեխնոլոգիան նշվել է Բունշահի 1972 թվականի զեկույցում, երբ արտադրվում էին գերկարծր թաղանթային տեսակներ, ինչպիսիք են TiC-ն և TiN-ը։ Նույն թվականին Սմիթը և Մոլլին ծածկույթման գործընթացում ընդունեցին խոռոչ կաթոդի տեխնոլոգիան։ 1980-ական թվականներին Չինաստանում իոնային ծածկույթապատումը վերջապես հասել էր արդյունաբերական կիրառման մակարդակի, և հաջորդաբար ի հայտ էին եկել ծածկույթման գործընթացներ, ինչպիսիք են վակուումային բազմաաղեղային իոնային ծածկույթապատումը և աղեղային պարպումային իոնային ծածկույթապատումը։
Վակուումային իոնային ծածկույթի ամբողջ աշխատանքային գործընթացը հետևյալն է. նախ,պոմպվակուումային խցիկը, ապասպասելվակուումային ճնշումը մինչև 4X10 ⁻ ³ Պակամ ավելի լավ, անհրաժեշտ է միացնել բարձր լարման էլեկտրամատակարարումը և հիմքի և գոլորշիչի միջև կառուցել ցածր լարման արտանետվող գազի ցածր ջերմաստիճանի պլազմային տարածք։ Միացրեք հիմքի էլեկտրոդը 5000 Վ հաստատուն հոսանքի բացասական բարձր լարման հետ՝ կաթոդի փայլուն արտանետում առաջացնելու համար։ Բացասական փայլուն տարածքի մոտ առաջանում են իներտ գազի իոններ։ Դրանք մտնում են կաթոդի մութ տարածք և արագանում էլեկտրական դաշտով ու ռմբակոծում հիմքի մակերեսը։ Սա մաքրման գործընթաց է, ապա մտնում են ծածկույթի գործընթաց։ Ռմբակոծման տաքացման ազդեցության միջոցով որոշ ծածկույթային նյութեր գոլորշիանում են։ Պլազմային տարածքը մտնում է պրոտոնների մեջ, բախվում էլեկտրոնների և իներտ գազի իոնների հետ, և դրանց մի փոքր մասը իոնացվում է։ Այս բարձր էներգիայով իոնացված իոնները ռմբակոծում են թաղանթի մակերեսը և որոշ չափով բարելավում թաղանթի որակը։
Վակուումային իոնային ծածկույթի սկզբունքն այն է, որ վակուումային խցիկում, գազի արտանետման երևույթի կամ գոլորշիացված նյութի իոնացված մասի միջոցով, գոլորշիացված նյութի իոնների կամ գազային իոնների ռմբակոծության տակ, այդ գոլորշիացված նյութերը կամ դրանց ռեակտիվները միաժամանակ նստեցվում են հիմքի վրա՝ բարակ թաղանթ ստանալու համար։ Իոնային ծածկույթըմեքենահամատեղում է վակուումային գոլորշիացումը, պլազմային տեխնոլոգիան և գազային փայլի արտանետումը, ինչը ոչ միայն բարելավում է թաղանթի որակը, այլև ընդլայնում է թաղանթի կիրառման շրջանակը: Այս գործընթացի առավելություններն են ուժեղ դիֆրակցիան, թաղանթի լավ կպչունությունը և տարբեր ծածկույթային նյութերը: Իոնային ծածկույթի սկզբունքն առաջին անգամ առաջարկվել է DM Mattox-ի կողմից: Կան իոնային ծածկույթի բազմաթիվ տեսակներ: Ամենատարածված տեսակը գոլորշիացման տաքացումն է, ներառյալ դիմադրության տաքացումը, էլեկտրոնային փնջի տաքացումը, պլազմային էլեկտրոնային փնջի տաքացումը, բարձր հաճախականության ինդուկցիոն տաքացումը և այլ տաքացման մեթոդներ:
Հրապարակման ժամանակը. Փետրվարի 14-2023