Az indium-ón-oxid (indium-ón-oxid, röviden ITO) egy széles tiltott sávú, erősen adalékolt n-típusú félvezető anyag, nagy látható fényáteresztő képességgel és alacsony ellenállással, ezért széles körben használják napelemekben, síkképernyős kijelzőkben, elektrokróm ablakokban, szervetlen és szerves vékonyréteg-elektrolumineszcenciában, lézerdiódákban és ultraibolya detektorokban, valamint más fotovoltaikus eszközökben stb. Az ITO-filmek előállításának számos módja létezik, beleértve az impulzuslézeres leválasztást, a porlasztást, a kémiai gőzfázisú leválasztást, a szóró termikus bomlást, a szol-gélt, a bepárlást stb. A bepárlási módszerek közül a leggyakrabban használt az elektronsugaras bepárlás.
Az ITO-film előállításának számos módja létezik, beleértve az impulzuslézeres leválasztást, a porlasztást, a kémiai gőzfázisú leválasztást, a szóró pirolízist, a szol-gél eljárást, a bepárlást és így tovább, amelyek közül a leggyakrabban használt bepárlási módszer az elektronsugaras bepárlás. Az ITO-filmek bepárlásos előállításának általában két módja van: az egyik a nagy tisztaságú In, Sn ötvözet használata alapanyagként oxigénatmoszférában a reakcióbepárláshoz; a második a nagy tisztaságú In2O3:, SnO2 keverék használata alapanyagként közvetlen bepárláshoz. A nagy áteresztőképességű és alacsony ellenállású film előállításához általában magasabb szubsztrátum-hőmérsékletre vagy a film utólagos hőkezelésére van szükség. HR Fallah és munkatársai alacsony hőmérsékleten végzett elektronsugaras bepárlási módszert alkalmaztak ITO vékonyrétegek leválasztására, hogy tanulmányozzák a leválasztási sebesség, a hőkezelési hőmérséklet és más folyamatparaméterek hatását a film szerkezetére, elektromos és optikai tulajdonságaira. Rámutattak, hogy a leválasztási sebesség csökkentése növelheti az alacsony hőmérsékleten növesztett filmek áteresztőképességét és csökkentheti az ellenállását. A látható fény áteresztőképessége meghaladja a 92%-ot, az ellenállása pedig 7X10-4Ωcm. A szobahőmérsékleten, 350~550℃-on növesztett ITO-filmeket hőkezelték, és azt találták, hogy minél magasabb a hőkezelési hőmérséklet, annál jobb az ITO-filmek kristályos tulajdonsága. A filmek látható fényáteresztő képessége 550℃-on történő hőkezelés után 93%, a szemcseméret pedig körülbelül 37 nm. A plazma-rásegítéses módszerrel csökkenthető az aljzat hőmérséklete a filmképződés során, ami a filmképződés legfontosabb tényezője, és a kristályosság is a legfontosabb. A plazma-rásegítéses módszerrel csökkenthető az aljzat hőmérséklete a filmképződés során, és a leválasztással kapott ITO-film jó teljesítményt nyújt. Az S. Laux és munkatársai által előállított ITO-film ellenállása... nagyon alacsony, 5*10-”Ωcm, és az 550 nm-en mért fényelnyelése kevesebb, mint 5%, a film ellenállása és az optikai sávszélesség is változik az oxigénnyomás változtatásával a lerakódás során.
– Ezt a cikket a következő tette közzé:vákuumbevonó gép gyártóGuangdong Zhenhua
Közzététel ideje: 2024. márc. 23.