Indiumtinaoksiid (indiumtinaoksiid, edaspidi ITO) on laia keelutsooniga, tugevalt legeeritud n-tüüpi pooljuhtmaterjal, millel on kõrge nähtava valguse läbilaskvus ja madal takistus, mistõttu seda kasutatakse laialdaselt päikesepatareides, lameekraanides, elektrokromaatilistes akendes, anorgaanilistes ja orgaanilistes õhukese kilega elektroluminestsentsides, laserdioodides ja ultraviolettdetektorites ning muudes fotogalvaanilistes seadmetes jne. ITO-kilede valmistamiseks on palju meetodeid, sealhulgas impulsslasersadestamine, pihustuskatmine, keemiline aurustamine, pihustus-termiline lagunemine, sool-geel, aurustamine jne. Aurustusmeetodite hulgas on kõige sagedamini kasutatav elektronkiire aurustamine.
ITO-kile valmistamiseks on palju viise, sealhulgas impulsslasersadestamine, pihustussadestamine, keemiline aurustamine, pihustuspürolüüs, sool-geel, aurustamine jne, millest kõige sagedamini kasutatav aurustamismeetod on elektronkiire aurustamine. ITO-kilede aurustamise ettevalmistamisel on tavaliselt kaks võimalust: üks on kõrge puhtusastmega In ja Sn sulami kasutamine lähtematerjalina hapnikuatmosfääris reaktsiooni aurustamiseks; teine on kõrge puhtusastmega In2O3: ja SnO2 segu kasutamine lähtematerjalina otseseks aurustamiseks. Suure läbilaskvuse ja madala takistusega kile valmistamiseks on üldiselt vaja kõrgemat aluspinna temperatuuri või kile järgnevat kuumutamist. HR Fallah jt. kasutasid ITO õhukeste kilede sadestamiseks madalatel temperatuuridel elektronkiire aurustamise meetodit, et uurida sadestamiskiiruse, kuumutamistemperatuuri ja muude protsessiparameetrite mõju kile struktuurile, elektrilistele ja optilistele omadustele. Nad tõid välja, et sadestamiskiiruse vähendamine võib suurendada läbilaskvust ja vähendada madalal temperatuuril kasvatatud kilede takistust. Nähtava valguse läbilaskvus on üle 92% ja takistus on 7X10-4Ωcm. Nad lõõmutasid toatemperatuuril temperatuuril 350–550 ℃ kasvatatud ITO-kilesid ja leidsid, et mida kõrgem on lõõmutustemperatuur, seda parem on ITO-kilede kristalliline omadus. Kilede nähtava valguse läbilaskvus pärast 550 ℃ juures lõõmutamist on 93% ja tera suurus on umbes 37 nm. Plasma abil teostatav meetod võib samuti vähendada substraadi temperatuuri kile moodustumise ajal, mis on kile moodustumisel kõige olulisem tegur, ning kristallilisus on samuti kõige olulisem. Plasma abil teostatav meetod võib samuti vähendada substraadi temperatuuri kile moodustumise ajal ja sadestamise teel saadud ITO-kilel on head omadused. S. Lauxi jt poolt valmistatud ITO-kile takistus on ... on väga madal, 5*10-”Ωcm, ja valguse neeldumine lainepikkusel 550 nm on alla 5% ning kile takistus ja optiline ribalaius muutuvad samuti hapniku rõhu muutmisega sadestamise ajal.
– Selle artikli avaldasvaakumkatmismasinate tootjaGuangdongi Zhenhua
Postituse aeg: 23. märts 2024