Indio-stanoksido (INDIO-STAN-Oksido, nomata ITO) estas larĝa bendbreĉo, forte dopita n-tipa duonkonduktaĵa materialo, kun alta videbla lumtransmitanco kaj malaltaj rezistecaj karakterizaĵoj, kaj tial vaste uzata en sunĉeloj, plataj ekranoj, elektrokromaj fenestroj, neorganikaj kaj organikaj maldikfilmaj elektroluminesko, laserdiodoj kaj ultraviolaj detektiloj kaj aliaj fotovoltaecaj aparatoj, ktp. Ekzistas multaj metodoj por prepari ITO-filmojn, inkluzive de pulsa lasera deponado, ŝprucado, kemia vapora deponado, ŝpruca termika malkomponado, sol-ĝelo, vaporiĝo, ktp. Inter la vaporiĝmetodoj, la plej ofte uzata estas elektronfaska vaporiĝo.
Ekzistas multaj manieroj prepari ITO-filmon, inkluzive de pulsa lasera deponado, ŝprucado, kemia vapora deponado, ŝpruca pirolizo, sol-ĝelo, vaporiĝo kaj tiel plu, el kiuj la plej ofte uzata vaporiĝmetodo estas elektronfaska vaporiĝo. La vaporiĝpreparado de ITO-filmoj kutime havas du metodojn: unu estas la uzo de altpureca In, Sn-alojo kiel fontmaterialo, en oksigena atmosfero por la reakcia vaporiĝo; la dua estas la uzo de altpureca In2O3:,SnO2-miksaĵo kiel fontmaterialo por rekta vaporiĝo. Por fari filmon kun alta transmitanco kaj malalta rezisteco, ĝenerale necesas pli alta substrata temperaturo aŭ posta kalcinado de la filmo. HR Fallah kaj aliaj uzis la elektronfaskan vaporiĝmetodon je malaltaj temperaturoj por deponi maldikajn ITO-filmojn, por studi la efikon de la depona rapido, kalcina temperaturo kaj aliaj procezaj parametroj sur la strukturon de la filmo, elektrajn kaj optikajn ecojn. Ili atentigis, ke malaltigi la depona rapidon povus pliigi la transmitancon kaj malpliigi la rezistecon de la malalttemperatur-kreskigitaj filmoj. La transmitanco de videbla lumo estas pli ol 92%, kaj la rezisteco estas 7X10⁻⁴Ωcm. Ili kalcinis la ITO-filmojn kreskigitajn je ĉambra temperaturo je 350~550℃, kaj trovis, ke ju pli alta estas la kalcina temperaturo, des pli bonaj estas la kristalaj ecoj de ITO-filmoj. La transmitanco de videbla lumo de la filmoj post kalcinado je 550℃ estas 93%, kaj la grenograndeco estas ĉirkaŭ 37nm. La plasmo-helpata metodo ankaŭ povas redukti la substratan temperaturon dum filmformado, kio estas la plej grava faktoro en la formado de la filmo, kaj la kristaleco ankaŭ estas la plej grava. La plasmo-helpata metodo ankaŭ povas redukti la substratan temperaturon dum filmformado, kaj la ITO-filmo akirita per la deponado havas bonan funkciadon. La rezisteco de la ITO-filmo preparita de S. Laux et al. estas tre malalta, 5*10-”Ωcm, kaj la sorbado de lumo je 550nm estas malpli ol 5%, kaj la rezisteco de la filmo kaj la optika bendlarĝo ankaŭ ŝanĝiĝas per ŝanĝo de la oksigena premo dum la deponado.
–Ĉi tiu artikolo estas publikigita defabrikanto de vakuaj tegaĵmaŝinojGuangdong Zhenhua
Afiŝtempo: 23-a de marto 2024