Rivestimentu ionicumacchina hà urighjinatu da a teoria pruposta da DM Mattox in l'anni 1960, è l'esperimenti currispondenti anu cuminciatu à quellu tempu; Finu à u 1971, Chambers è altri anu publicatu a tecnulugia di a placcatura ionica à fasciu elettronicu; A tecnulugia di a placcatura per evaporazione reattiva (ARE) hè stata signalata in u rapportu Bunshah in u 1972, quandu sò stati pruduciuti tipi di film super duri cum'è TiC è TiN; Sempre in u 1972, Smith è Molley anu aduttatu a tecnulugia di u catodu cavu in u prucessu di rivestimentu. À l'anni 1980, a placcatura ionica in Cina avia finalmente righjuntu u livellu di applicazione industriale, è i prucessi di rivestimentu cum'è a placcatura ionica multi-arcu à vuoto è a placcatura ionica à scarica d'arcu eranu apparsi successivamente.
Tuttu u prucessu di travagliu di a placcatura ionica in u vacuum hè u seguente: prima,pompaa camera di vuoto, è dopuaspittàa pressione di u vacuum à 4X10⁻³ Pao megliu, hè necessariu cunnette l'alimentazione à alta tensione è custruisce una zona di plasma à bassa temperatura di gas di scarica à bassa tensione trà u substratu è l'evaporatore. Cunnette l'elettrodu di u substratu cù una alta tensione negativa di 5000V DC per furmà una scarica à bagliore di u catodu. L'ioni di gas inerte sò generati vicinu à a zona di bagliore negativu. Entranu in a zona scura di u catodu è sò accelerati da u campu elettricu è bombardanu a superficia di u substratu. Questu hè un prucessu di pulizia, è dopu entranu in u prucessu di rivestimentu. Per via di l'effettu di u riscaldamentu di bombardamentu, alcuni materiali di placcatura sò vaporizzati. A zona di plasma entra in i protoni, si scontra cù l'elettroni è l'ioni di gas inerte, è una piccula parte di elli sò ionizzati, Quessi ioni ionizzati cù alta energia bombardanu a superficia di u filmu è migliuranu a qualità di u filmu in una certa misura.
U principiu di a placcatura ionica à u vacuum hè: in a camera à vacuum, aduprendu u fenomenu di scarica di gas o a parte ionizzata di u materiale vaporizatu, sottu u bumbardamentu di l'ioni di u materiale vaporizatu o di l'ioni di gas, depositanu simultaneamente queste sustanze vaporizate o i so reagenti nantu à u sustratu per ottene una pellicola fina. U rivestimentu ionicumacchinacombina l'evaporazione à u vacuum, a tecnulugia di u plasma è a scarica di gasu bagliore, chì ùn solu migliora a qualità di u film, ma ancu espande a gamma di applicazione di u film. I vantaghji di stu prucessu sò una forte diffrazione, una bona adesione di u film è diversi materiali di rivestimentu. U principiu di a placcatura ionica hè statu prupostu per a prima volta da DM Mattox. Ci sò parechji tippi di placcatura ionica. U tipu più cumunu hè u riscaldamentu per evaporazione, cumprese u riscaldamentu per resistenza, u riscaldamentu à fasciu elettronicu, u riscaldamentu à fasciu elettronicu à plasma, u riscaldamentu per induzione à alta frequenza è altri metudi di riscaldamentu.
Data di publicazione: 14 di ferraghju 2023