L'ossidu di stagnu d'indiu (Ossidu di Stagnu d'Indiu, chjamatu ITO) hè un materiale semiconduttore di tipu n à banda larga, assai drogatu, cù caratteristiche di alta trasmittanza di luce visibile è bassa resistività, è dunque largamente utilizatu in celle solari, schermi piatti, finestre elettrocromiche, elettroluminescenza à film sottile inorganicu è organicu, diodi laser è rilevatori ultravioletti è altri dispositivi fotovoltaici, ecc. Ci sò parechji metudi di preparazione di film ITO, cumprese a deposizione laser pulsata, sputtering, deposizione chimica da vapore, decomposizione termica a spruzzo, sol-gel, evaporazione, ecc. Frà i metudi di evaporazione, u più cumunimenti utilizatu hè l'evaporazione à fasciu di elettroni.
Ci sò parechji modi per preparà un film ITO, cumprese a deposizione laser pulsata, u sputtering, a deposizione chimica di vapore, a pirolisi à spruzzu, u sol-gel, l'evaporazione è cusì, di i quali u metudu d'evaporazione più cumunamente utilizatu hè l'evaporazione à fasciu d'elettroni. A preparazione per evaporazione di i filmi ITO di solitu hà dui modi: unu hè l'usu di lega In, Sn d'alta purezza cum'è materiale di partenza, in l'atmosfera d'ossigenu per l'evaporazione di a reazione; u secondu hè l'usu di una mistura In2O3:, SnO2 d'alta purezza cum'è materiale di partenza per l'evaporazione diretta. Per fà u film cù alta trasmittanza è bassa resistività, generalmente hè necessaria una temperatura di substratu più alta o a necessità di una successiva ricottura di u film. HR Fallah et al. anu utilizatu u metudu d'evaporazione à fasciu d'elettroni à basse temperature per deposità filmi sottili ITO, per studià l'effettu di a velocità di deposizione, a temperatura di ricottura è altri parametri di prucessu nantu à a struttura di u film, e proprietà elettriche è ottiche. Anu indicatu chì abbassà a velocità di deposizione puderia aumentà a trasmittanza è diminuisce a resistività di i filmi cresciuti à bassa temperatura. A trasmittanza di a luce visibile hè più di 92%, è a resistività hè 7X10-4Ωcm. Anu ricottu i filmi ITO cresciuti à temperatura ambiente à 350 ~ 550 ℃, è anu trovu chì più alta hè a temperatura di ricottura, megliu hè a pruprietà cristallina di i filmi ITO. A trasmittanza di a luce visibile di i filmi dopu a ricottura à 550 ℃ hè di 93%, è a dimensione di u granu hè di circa 37 nm. U metudu assistitu da plasma pò ancu riduce a temperatura di u substratu durante a furmazione di u filmu, chì hè u fattore più impurtante in a furmazione di u filmu, è a cristallinità hè ancu a più impurtante. U metudu assistitu da plasma pò ancu riduce a temperatura di u substratu durante a furmazione di u filmu, è u filmu ITO ottenutu da a deposizione hà una bona prestazione. A resistività di u filmu ITO preparatu da S. Laux et al. hè assai bassu, 5 * 10- "Ωcm, è l'assorbimentu di a luce à 550 nm hè menu di 5%, è a resistività di u film è a larghezza di banda ottica sò ancu cambiate cambiendu a pressione di l'ossigenu durante a deposizione.
–Questu articulu hè statu publicatu dafabricatore di macchine di rivestimentu à vuotoGuangdong Zhenhua
Data di publicazione: 23 di marzu di u 2024