ကက်သိုဒစ် အာ့ခ် အရင်းအမြစ် အိုင်းယွန်း အပေါ်ယံလွှာ ပြုလုပ်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်သည် အခြား အပေါ်ယံလွှာ နည်းပညာများနှင့် အခြေခံအားဖြင့် အတူတူပင်ဖြစ်ပြီး၊ workpieces များ တပ်ဆင်ခြင်းနှင့် ဖုန်စုပ်ခြင်းကဲ့သို့သော လုပ်ဆောင်ချက်အချို့ကို ထပ်မံလုပ်ဆောင်တော့မည် မဟုတ်ပါ။
၁။ လက်ရာများကို ဗုံးကြဲသန့်စင်ခြင်း
အလွှာအုပ်ခြင်းမပြုမီ၊ အာဂွန်ဓာတ်ငွေ့ကို အလွှာအုပ်ခန်းထဲသို့ 2×10-2Pa လေဟာနယ်ဖြင့် ထည့်သွင်းသည်။
duty cycle 20% နှင့် workpiece bias 800-1000V ရှိသော pulse bias power supply ကိုဖွင့်ပါ။
အာ့ခ်ပါဝါကိုဖွင့်လိုက်တဲ့အခါ အအေးဓာတ်စက်ကွင်း အာ့ခ်အလင်းထုတ်လွှတ်မှုတစ်ခုဖြစ်ပေါ်လာပြီး အာ့ခ်ရင်းမြစ်ကနေ အီလက်ထရွန်လျှပ်စီးကြောင်းနဲ့ တိုက်တေနီယမ်အိုင်းယွန်းလျှပ်စီးကြောင်းအများအပြားကို ထုတ်လွှတ်ကာ သိပ်သည်းဆမြင့်မားတဲ့ ပလာစမာတစ်ခုကို ဖန်တီးပေးပါတယ်။ တိုက်တေနီယမ်အိုင်းယွန်းဟာ အလုပ်ကို workpiece ပေါ်သက်ရောက်တဲ့ အနုတ်လက္ခဏာမြင့်မားတဲ့ ဘက်လိုက်မှုဖိအားအောက်မှာ workpiece ထဲကို ထိုးသွင်းမှုကို အရှိန်မြှင့်ပေးပြီး workpiece ရဲ့ မျက်နှာပြင်ပေါ်မှာ စုပ်ယူထားတဲ့ ကျန်ရှိနေတဲ့ဓာတ်ငွေ့နဲ့ ညစ်ညမ်းမှုတွေကို ဗုံးကြဲပြီး ဖြန်းထုတ်ကာ workpiece ရဲ့ မျက်နှာပြင်ကို သန့်ရှင်းရေးလုပ်ပြီး သန့်စင်ပေးပါတယ်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပဲ အပေါ်ယံလွှာအခန်းထဲက ကလိုရင်းဓာတ်ငွေ့ဟာ အီလက်ထရွန်တွေကြောင့် အိုင်းယွန်းဓာတ်ဖြစ်သွားပြီး အာဂွန်အိုင်းယွန်းတွေက workpiece မျက်နှာပြင်ကို ဗုံးကြဲတိုက်ခိုက်တာကို အရှိန်မြှင့်ပေးပါတယ်။
ထို့ကြောင့် ဗုံးကြဲသန့်စင်ခြင်း၏ အာနိသင်ကောင်းမွန်ပါသည်။ ဗုံးကြဲသန့်စင်ခြင်း ၁ မိနစ်ခန့်သာ workpiece ကို သန့်စင်နိုင်ပြီး ၎င်းကို “main arc bombardment” ဟုခေါ်သည်။ တိုက်တေနီယမ်အိုင်းယွန်းများ များပြားသောကြောင့် arc source ငယ်တစ်ခုကို workpiece ကို အချိန်ကြာမြင့်စွာ ဗုံးကြဲသန့်စင်ပါက workpiece ၏ အပူချိန်သည် အပူလွန်ကဲပြီး ကိရိယာအနားသတ်သည် ပျော့ပျောင်းသွားနိုင်သည်။ ယေဘုယျထုတ်လုပ်မှုတွင် arc source ငယ်များကို အပေါ်မှအောက်သို့ တစ်ခုပြီးတစ်ခု ဖွင့်ထားပြီး arc source ငယ်တစ်ခုစီသည် ဗုံးကြဲသန့်စင်ချိန် ၁ မိနစ်ခန့်ရှိသည်။
(၁) တိုက်တေနီယမ်အောက်ဆုံးအလွှာကို အပေါ်ယံလွှာဖြင့် ဖုံးအုပ်ခြင်း
ဖလင်နှင့် အောက်ခံကြား ကပ်ငြိမှု ပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်အတွက်၊ တိုက်တေနီယမ် နိုက်ထရိုက်ကို မဖုံးအုပ်မီ သန့်စင်သော တိုက်တေနီယမ် အောက်ခံအလွှာကို များသောအားဖြင့် ဖုံးအုပ်လေ့ရှိသည်။ vacuum level ကို 5×10-2-3×10-1Pa သို့ ချိန်ညှိပါ၊ workpiece bias voltage ကို 400-500V သို့ ချိန်ညှိပါ၊ pulse bias power supply ၏ duty cycle ကို 40%~50% သို့ ချိန်ညှိပါ။ cold field arcing discharge ထုတ်လုပ်ရန် arc source ငယ်များကို တစ်ခုပြီးတစ်ခု မီးညှိပေးနေဆဲဖြစ်သည်။ workpiece ၏ negative bias voltage လျော့နည်းသွားခြင်းကြောင့် တိုက်တေနီယမ် အိုင်းယွန်းများ၏ စွမ်းအင် လျော့ကျသွားသည်။ workpiece သို့ ရောက်ရှိပြီးနောက်၊ sputtering effect သည် deposition effect ထက် နည်းပါးပြီး တိုက်တေနီယမ် နိုက်ထရိုက် hard film layer နှင့် အောက်ခံကြား ချည်နှောင်အားကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေရန် workpiece ပေါ်တွင် တိုက်တေနီယမ် transition layer တစ်ခု ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် workpiece ကို အပူပေးသည့် လုပ်ငန်းစဉ်လည်း ဖြစ်သည်။ သန့်စင်သော တိုက်တေနီယမ် target ကို ဖြန့်လိုက်သောအခါ၊ plasma ရှိ အလင်းသည် အပြာရောင်ဖြစ်သည်။
၁။ အမိုးနီယမ် ဇလုံ မာကျောသော ဖလင်အလွှာ
ဖုန်စုပ်အားဒီဂရီကို 3×10 အထိ ချိန်ညှိပါ-1-5Pa၊ workpiece bias voltage ကို 100-200V သို့ ချိန်ညှိပြီး pulse bias power supply ၏ duty cycle ကို 70%~80% သို့ ချိန်ညှိပါ။ နိုက်ထရိုဂျင်ထည့်သွင်းပြီးနောက်၊ တိုက်တေနီယမ်သည် arc discharge plasma နှင့်ပေါင်းစပ်ဓာတ်ပြုပြီး တိုက်တေနီယမ် နိုက်ထရိုက် hard film ကို စုပုံစေသည်။ ဤအချက်တွင်၊ vacuum chamber ရှိ plasma ၏အလင်းသည် ချယ်ရီနီရောင်ဖြစ်သည်။ C ဆိုလျှင်2H2၊ အို2စသည်တို့ကို မိတ်ဆက်ပေးထားပြီး TiCN, TiO2စသည်တို့ကို ဖလင်အလွှာများ ရရှိနိုင်မည်ဖြစ်သည်။
– ဤဆောင်းပါးကို Guangdong Zhenhua မှ ထုတ်ဝေခဲ့သည်။ဖုန်စုပ်အပေါ်ယံလွှာစက်ထုတ်လုပ်သူ
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၃ ခုနှစ်၊ ဇွန်လ ၁ ရက်