გაფრქვევით საფარიანი ფირების მახასიათებლები

① ფირის სისქის კარგი კონტროლირებადობა და განმეორებადობა

ფირის სისქის წინასწარ განსაზღვრული მნიშვნელობით კონტროლირებადობას ფირის სისქის კონტროლირებადობა ეწოდება. საჭირო ფირის სისქის გამეორება მრავალჯერ შეიძლება, რასაც ფირის სისქის განმეორებადობა ეწოდება. რადგან ვაკუუმური გაფრქვევის საფარის განმუხტვის დენის და სამიზნე დენის კონტროლი ცალ-ცალკე შესაძლებელია. შესაბამისად, გაფრქვეული ფირის სისქე კონტროლირებადია და წინასწარ განსაზღვრული სისქის ფირის საიმედოდ დატანა შესაძლებელია. გარდა ამისა, გაფრქვევის საფარით შესაძლებელია დიდ ზედაპირზე ერთგვაროვანი სისქის ფირის მიღება.

② ძლიერი ადჰეზია ფირსა და სუბსტრატს შორის

გაფრქვეული ატომების ენერგია 1-2 რიგითობით მეტია აორთქლებული ატომების ენერგიაზე. სუბსტრატზე დალექილი მაღალი ენერგიის გაფრქვეული ატომების ენერგიის გარდაქმნა გაცილებით მაღალია, ვიდრე აორთქლებული ატომებისა, რაც წარმოქმნის უფრო მეტ სითბოს და აძლიერებს გაფრქვეულ ატომებსა და სუბსტრატს შორის ადჰეზიას. გარდა ამისა, ზოგიერთი მაღალი ენერგიის გაფრქვეული ატომები წარმოქმნის ინექციის სხვადასხვა ხარისხს, რაც ქმნის ფსევდოდიფუზიურ ფენას სუბსტრატზე. გარდა ამისა, აპკის ფორმირების პროცესში სუბსტრატი ყოველთვის იწმინდება და აქტიურდება პლაზმურ რეგიონში, რაც აშორებს სუსტი ადჰეზიის მქონე გაფრქვეულ ატომებს და ასუფთავებს და ააქტიურებს სუბსტრატის ზედაპირს. ამიტომ, გაფრქვეულ აპკს აქვს ძლიერი ადჰეზია სუბსტრატზე.

③ შესაძლებელია სამიზნისგან განსხვავებული ახალი მასალის ფირის მომზადება

თუ გაფრქვევის დროს რეაქტიული აირი შეჰყავთ სამიზნესთან რეაქციის გასააქტიურებლად, შესაძლებელია სამიზნისგან სრულიად განსხვავებული ახალი მასალის აპკის მიღება. მაგალითად, სილიციუმი გამოიყენება გაფრქვევის სამიზნედ და ჟანგბადი და არგონი ერთად თავსდება ვაკუუმურ კამერაში. გაფრქვევის შემდეგ შესაძლებელია SiOz საიზოლაციო აპკის მიღება. ტიტანის, როგორც გაფრქვევის სამიზნედ გამოყენებისას, აზოტი და არგონი ერთად თავსდება ვაკუუმურ კამერაში და გაფრქვევის შემდეგ შესაძლებელია ფაზური TiN ოქროს მსგავსი აპკის მიღება.

④ მაღალი სისუფთავის და კარგი ხარისხის ფირი

ვინაიდან გაფრქვევის აპკის მოსამზადებელ მოწყობილობაში არ არის ტილოგრამის კომპონენტი, ტილოგრამის გამათბობელი მასალის კომპონენტები არ შეერევა გაფრქვევის აპკის ფენაში. გაფრქვევის საფარის ნაკლოვანებებია ის, რომ აპკის ფორმირების სიჩქარე უფრო დაბალია, ვიდრე აორთქლების საფარის, სუბსტრატის ტემპერატურა უფრო მაღალია, მასზე ადვილად მოქმედებს მინარევებით გაზი და მოწყობილობის სტრუქტურა უფრო რთულია.

ეს სტატია გამოქვეყნებულია Guangdong Zhenhua-ს მიერ, რომელიც წარმოადგენს...ვაკუუმური საფარის აღჭურვილობა