અન્ય કોટિંગ ટેકનોલોજીની તુલનામાં, મેગ્નેટ્રોન સ્પટરિંગ કોટિંગ નીચેના લક્ષણો દ્વારા વર્ગીકૃત થયેલ છે: કાર્યકારી પરિમાણોમાં કોટિંગ ડિપોઝિશન ગતિ અને જાડાઈ (કોટેડ વિસ્તારની સ્થિતિ) ની વિશાળ ગતિશીલ ગોઠવણ શ્રેણી સરળતાથી નિયંત્રિત કરી શકાય છે, અને કોટિંગની એકરૂપતા સુનિશ્ચિત કરવા માટે મેગ્નેટ્રોન લક્ષ્યની ભૂમિતિ પર કોઈ ડિઝાઇન મર્યાદા નથી; ફિલ્મ સ્તરમાં ટીપાં કણોની કોઈ સમસ્યા નથી; લગભગ બધી ધાતુઓ, એલોય અને સિરામિક્સને લક્ષ્ય સામગ્રીમાં બનાવી શકાય છે; અને લક્ષ્ય સામગ્રી DC અથવા RF મેગ્નેટ્રોન સ્પટરિંગ દ્વારા ઉત્પન્ન કરી શકાય છે, જે ચોક્કસ ગુણોત્તર સાથે શુદ્ધ ધાતુ અથવા એલોય કોટિંગ્સ, તેમજ ગેસ ભાગીદારી સાથે મેટલ રિએક્ટિવ ફિલ્મો ઉત્પન્ન કરી શકે છે. DC અથવા RF સ્પટરિંગ દ્વારા, પાતળા ફિલ્મ વિવિધતા અને ઉચ્ચ ચોકસાઇની જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરવા માટે ચોક્કસ અને સતત ગુણોત્તર સાથે શુદ્ધ ધાતુ અથવા એલોય કોટિંગ્સ, તેમજ ગેસ ભાગીદારી સાથે મેટલ રિએક્ટિવ ફિલ્મો ઉત્પન્ન કરવાનું શક્ય છે. મેગ્નેટ્રોન સ્પટરિંગ કોટિંગ માટે લાક્ષણિક પ્રક્રિયા પરિમાણો છે: 0.1Pa નું કાર્યકારી દબાણ; 300~700V નું લક્ષ્ય વોલ્ટેજ; 1~36W/cm² નું લક્ષ્ય પાવર ઘનતા.
મેગ્નેટ્રોન સ્પટરિંગની વિશિષ્ટ સુવિધાઓ છે:
(1) ઉચ્ચ ડિપોઝિશન દર. મેગ્નેટ્રોન ઇલેક્ટ્રોડના ઉપયોગને કારણે, ખૂબ મોટો ટાર્ગેટ બોમ્બાર્ડમેન્ટ આયન પ્રવાહ મેળવી શકાય છે, તેથી લક્ષ્ય સપાટી પર સ્પટર એચિંગ દર અને સબસ્ટ્રેટ સપાટી પર ફિલ્મ ડિપોઝિશન દર બંને ખૂબ ઊંચા છે.
(2) ઉચ્ચ શક્તિ કાર્યક્ષમતા. ઓછી ઉર્જાવાળા ઇલેક્ટ્રોન અને ગેસ પરમાણુઓની અથડામણની સંભાવના વધારે છે, તેથી ગેસ વિયોજન દર ઘણો વધી જાય છે. તે મુજબ, ડિસ્ચાર્જ ગેસ (અથવા પ્લાઝ્મા) ની અવબાધ ઘણી ઓછી થાય છે. તેથી, DC મેગ્નેટ્રોન સ્પટરિંગ DC દ્વિધ્રુવીય સ્પટરિંગની તુલનામાં, જો કાર્યકારી દબાણ 1~10Pa થી 10-210-1Pa સુધી ઘટાડી દેવામાં આવે તો પણ સ્પટરિંગ વોલ્ટેજ હજારો વોલ્ટથી સેંકડો વોલ્ટ સુધી ઘટાડવામાં આવે છે, સ્પટરિંગ કાર્યક્ષમતા અને ડિપોઝિશન રેટ તીવ્રતાના ક્રમમાં વધે છે.
- આ લેખ પ્રકાશિત થયો છેવેક્યુમ કોટિંગ મશીન ઉત્પાદકગુઆંગડોંગ ઝેન્હુઆ
પોસ્ટ સમય: ડિસેમ્બર-01-2023