အခြားအပေါ်ယံလွှာနည်းပညာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက၊ sputtering အပေါ်ယံလွှာတွင် အောက်ပါသိသာထင်ရှားသောအင်္ဂါရပ်များရှိသည်- အလုပ်လုပ်သော parameters များသည် dynamic adjustment range ကြီးမားပြီး၊ အပေါ်ယံလွှာ deposition speed နှင့် thickness (အပေါ်ယံလွှာဧရိယာ၏အခြေအနေ) ကို ထိန်းချုပ်ရလွယ်ကူပြီး အပေါ်ယံလွှာ၏ တသမတ်တည်းဖြစ်စေရန် sputtering target ၏ geometry တွင် ဒီဇိုင်းကန့်သတ်ချက်များမရှိပါ။ film layer တွင် droplet particles ပြဿနာမရှိပါ။ သတ္တု၊ alloy နှင့် ကြွေထည်ပစ္စည်းအားလုံးနီးပါးကို target materials များအဖြစ် ပြုလုပ်နိုင်သည်။ DC သို့မဟုတ် RF sputtering ဖြင့်၊ film များ၏ မတူညီသောနှင့် မြင့်မားသောတိကျမှုလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းရန် တိကျပြီး စဉ်ဆက်မပြတ်အချိုးအစားရှိသော သန့်စင်သောသတ္တု သို့မဟုတ် alloy အပေါ်ယံလွှာများနှင့် ဓာတ်ငွေ့ပါဝင်မှုရှိသော metal reaction film များကို ထုတ်လုပ်နိုင်သည်။ sputtering အပေါ်ယံလွှာ၏ ပုံမှန်လုပ်ငန်းစဉ် parameters များမှာ- အလုပ်လုပ်သောဖိအားမှာ 01Pa ဖြစ်သည်။ target voltage မှာ 300~700V ဖြစ်ပြီး target power density မှာ 1~36W/cm2 ဖြစ်သည်။ sputtering ၏ သီးခြားဝိသေသလက္ခဏာများမှာ-
(1) အနည်ကျမှုနှုန်း မြင့်မားခြင်း။ လျှပ်ကူးပစ္စည်းများ အသုံးပြုမှုကြောင့် ပစ်မှတ်ဗုံးကြဲအိုင်းယွန်း စီးကြောင်းများ အလွန်များပြားစွာ ရရှိနိုင်သောကြောင့် ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ sputtering etching rate နှင့် substrate မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ film အနည်ကျမှုနှုန်း မြင့်မားပါသည်။
(၂) ပါဝါထိရောက်မှုမြင့်မားခြင်း။ စွမ်းအင်နည်းအီလက်ထရွန်များနှင့် ဓာတ်ငွေ့အက်တမ်များအကြား တိုက်မိနိုင်ခြေမြင့်မားသောကြောင့် ဓာတ်ငွေ့အိုင်ယွန်နိုက်ဇေးရှင်းနှုန်းမှာ များစွာမြင့်တက်လာပါသည်။ ထိုနည်းတူစွာ၊ စွန့်ထုတ်ဓာတ်ငွေ့ (သို့မဟုတ် ပလာစမာ) ၏ impedance မှာ များစွာလျော့နည်းသွားပါသည်။ ထို့ကြောင့် DC two-pole sputtering နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အလုပ်လုပ်သောဖိအားကို 1~10Pa မှ 10-2~10-1Pa သို့ လျှော့ချသော်လည်း၊ sputtering voltage သည် ဗို့အားထောင်ပေါင်းများစွာမှ ဗို့အားရာပေါင်းများစွာအထိ လျော့ကျသွားပြီး sputtering စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် deposition rate မှာ အဆပေါင်းများစွာ မြင့်တက်လာပါသည်။
(၃) စွမ်းအင်နည်းသော စပွတ်တာခြင်း။ ပစ်မှတ်သို့ အသုံးချသော ကက်သုတ်ဗို့အားနည်းခြင်းကြောင့် ပလာစမာသည် ကက်သုတ်အနီးရှိ အာကာသတွင် သံလိုက်စက်ကွင်းဖြင့် ချည်နှောင်ခံရပြီး ၎င်းသည် အလွှာ၏ဘေးတွင် စွမ်းအင်မြင့်အားသွင်းထားသော အမှုန်များဖြစ်ပွားမှုကို တားဆီးပေးသည်။ ထို့ကြောင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများကဲ့သို့သော အလွှာများသို့ အားသွင်းထားသော အမှုန်များ ဗုံးကြဲခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ပျက်စီးမှုအတိုင်းအတာသည် အခြားစပွတ်တာနည်းလမ်းများထက် နည်းပါးသည်။
- ဤဆောင်းပါးကို ထုတ်ဝေသူဖုန်စုပ်အပေါ်ယံလွှာစက်ထုတ်လုပ်သူGuangdong Zhenhua
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၃ ခုနှစ်၊ စက်တင်ဘာလ ၈ ရက်