Comparada a outras tecnologias de revestimento, a deposição por pulverização catódica apresenta as seguintes características significativas: os parâmetros de trabalho possuem uma ampla faixa de ajuste dinâmico; a velocidade de deposição e a espessura do revestimento (o estado da área revestida) são facilmente controláveis; e não há restrições de projeto quanto à geometria do alvo de pulverização para garantir a uniformidade do revestimento; a camada de filme não apresenta o problema de partículas de gotículas: quase todos os metais, ligas e materiais cerâmicos podem ser utilizados como alvos; por meio de pulverização catódica DC ou RF, revestimentos de metal puro ou liga com proporções precisas e constantes, e filmes de reação metálica com participação de gás podem ser gerados para atender aos diversos requisitos de alta precisão dos filmes. Os parâmetros típicos do processo de deposição por pulverização catódica são: pressão de trabalho de 0,1 Pa; tensão do alvo de 300 a 700 V; e densidade de potência do alvo de 1 a 36 W/cm². As características específicas da pulverização catódica são:
(1) Alta taxa de deposição. Devido ao uso de eletrodos, correntes de íons de bombardeio de alvo muito grandes podem ser obtidas, então a taxa de ataque por pulverização na superfície do alvo e a taxa de deposição do filme na superfície do substrato são altas.
(2) Alta eficiência energética. A probabilidade de colisão entre elétrons de baixa energia e átomos de gás é alta, portanto a taxa de ionização do gás aumenta consideravelmente. Consequentemente, a impedância do gás de descarga (ou plasma) é bastante reduzida. Portanto, em comparação com a pulverização catódica CC de dois polos, mesmo que a pressão de trabalho seja reduzida de 1~10 Pa para 10-2~10-1 Pa, a tensão de pulverização é reduzida de vários milhares de volts para centenas de volts, e a eficiência de pulverização e a taxa de deposição aumentam em várias ordens de magnitude.
(3) Pulverização catódica de baixa energia. Devido à baixa tensão catódica aplicada ao alvo, o plasma é confinado no espaço próximo ao cátodo por um campo magnético, o que inibe a incidência de partículas carregadas de alta energia na lateral do substrato. Portanto, o grau de dano causado pelo bombardeio de partículas carregadas em substratos como dispositivos semicondutores é menor do que o de outros métodos de pulverização catódica.
–Este artigo foi publicado porfabricante de máquinas de revestimento a vácuoGuangdongZhenhua.
Data da publicação: 08/09/2023