Marka la barbardhigo teknoolojiyada kale ee dahaadhka, dahaarka dahaadhka wuxuu leeyahay sifooyinka muhiimka ah ee soo socda: xuduudaha shaqadu waxay leeyihiin kala duwanaansho firfircoon oo ballaaran, xawaaraha dhigista dahaarka iyo dhumucda (xaaladda aagga dahaadhka) way fududahay in la xakameeyo, mana jiraan wax xayiraado naqshadeed ah oo ku saabsan joomatari ee bartilmaameedka dahaadhka si loo hubiyo isku mid ahaanshaha dahaarka; Lakabka filimku ma laha dhibaatada walxaha dhibcaha: ku dhawaad dhammaan biraha, birta iyo walxaha dhoobada ah waxaa laga samayn karaa walxo bartilmaameed ah; Iyada oo loo marayo dahaarka DC ama RF, dahaarka birta saafiga ah ama dahaarka leh oo leh cabbir sax ah oo joogto ah iyo filimada falcelinta birta ee ka qaybgalka gaaska ayaa la soo saari karaa si loo daboolo shuruudaha kala duwan iyo kuwa saxnaanta sare ee filimada. Xuduudaha habka caadiga ah ee dahaarka dahaadhka dahaadhka waa: cadaadiska shaqada waa 01Pa; Danabka bartilmaameedka ah waa 300~700V, cufnaanta awoodda bartilmaameedka ahna waa 1~36W/cm2. Astaamaha gaarka ah ee dahaarka waa:
(1) Heerka kaydinta sare. Iyada oo loo marayo isticmaalka elektroodhada, waxaa la heli karaa qulqulka ion-ka bartilmaameedka ah ee aadka u weyn, sidaa darteed heerka xoqidda ee dusha sare ee bartilmaameedka ah iyo heerka dhigista filimka ee dusha sare ee substrate-ka ayaa sarreeya.
(2) Waxtarka sare ee awoodda. Suurtagalnimada isku dhaca elektaroonada tamarta yar iyo atamka gaaska ayaa sarreeya, sidaa darteed heerka ionization-ka gaaska ayaa si weyn u kordha. Sidaas oo kale, iska caabbinta gaaska sii daaya (ama plasma) aad ayaa loo dhimay. Sidaa darteed, marka la barbar dhigo DC laba-cirifoodka ku shubma, xitaa haddii cadaadiska shaqada laga dhimo 1~10Pa ilaa 10-2~10-1Pa, danabka ku shubma waxaa laga dhimaa dhowr kun oo volts ilaa boqolaal volts, hufnaanta ku shubma iyo heerka dhigistana waxay ku kordhaan amarrada baaxadda.
(3) Kala-baxa tamarta yar. Sababtoo ah danabka yar ee cathode-ka ee lagu dabaqay bartilmaameedka, balaasmaha waxaa ku xidhma meel u dhow cathode-ka goob birlab ah, taas oo ka hortagta dhacdooyinka walxaha tamar sare leh ee ku dallaca dhinaca substrate-ka. Sidaa darteed, heerka waxyeelada ay keento duqeynta walxaha lagu dallacay ee substrate-ka sida aaladaha semiconductor-ka ayaa ka hooseeya kuwa hababka kale ee kala-baxa.
– Maqaalkan waxaa soo saaray ’’Qoraalkan waxaa soo saaray ’’soo saaraha mashiinka dahaadhka faakuumkaGuangdong Zhenhua.
Waqtiga boostada: Sebteembar-08-2023