Башка каплау технологияләре белән чагыштырганда, сиптерү каплавының түбәндәге мөһим үзенчәлекләре бар: эш параметрлары зур динамик көйләү диапазонына ия, каплауның утыру тизлеге һәм калынлыгы (каплау мәйданының торышы) җиңел контрольдә тотыла, һәм каплауның бердәмлеген тәэмин итү өчен сиптерү максатының геометриясенә бернинди дизайн чикләүләре юк; Пленка катламында тамчы кисәкчәләре проблемасы юк: диярлек барлык металлар, эретмәләр һәм керамик материаллар максатлы материалларга әйләндерелергә мөмкин; DC яки RF сиптерү ярдәмендә, пленкаларның төрле һәм югары төгәллек таләпләрен канәгатьләндерү өчен төгәл һәм даими пропорцияләргә ия саф металл яки эретмә каплаулар һәм газ катнашуы белән металл реакция пленкалары булдырылырга мөмкин. Сиптерү каплавының типик процесс параметрлары: эш басымы 01Pa; Максат көчәнеше 300 ~ 700V, һәм максатлы көч тыгызлыгы 1 ~ 36W/см2. Сиптерүнең үзенчәлекле үзенчәлекләре:
(1) Югары утыру тизлеге. Электродлар куллану аркасында бик зур максатлы бомбага тоту ион токлары алынырга мөмкин, шуңа күрә максат өслегендә сиптерү тизлеге һәм субстрат өслегендә пленка утыру тизлеге югары.
(2) Югары энергия нәтиҗәлелеге. Түбән энергияле электроннар һәм газ атомнары арасында бәрелү ихтималы югары, шуңа күрә газ ионлашу тизлеге сизелерлек арта. Шуңа күрә, разряд газының (яки плазманың) импедансы сизелерлек кими. Шуңа күрә, даими токның ике полюслы сиптерүе белән чагыштырганда, эш басымы 1 ~ 10Падан 10-2 ~ 10-1Пага кадәр киметелсә дә, сиптерү көчәнеше берничә мең вольттан йөзләгән вольтка кадәр кими, һәм сиптерү нәтиҗәлелеге һәм утыру тизлеге шактый арта.
(3) Түбән энергияле сиптерү. Максатка түбән катод көчәнеше бирелгәнлектән, плазма катод янындагы киңлектә магнит кыры белән бәйләнгән, бу югары энергияле корылган кисәкчәләрнең субстрат ягына төшүен тоткарлый. Шуңа күрә, корылган кисәкчәләрнең субстратларга, мәсәлән, ярымүткәргеч җайланмаларга бомбага тоту нәтиҗәсендә килеп чыккан зыян дәрәҗәсе башка сиптерү ысулларына караганда түбәнрәк.
–Бу мәкалә бастырып чыгарылдывакуум каплау машинасы җитештерүчесеГуандун Чжэнхуа.
Бастырылган вакыты: 2023 елның 8 сентябре