スパッタリングコーティングは、他のコーティング技術と比較して、以下の重要な特徴を備えています。作業パラメータの動的調整範囲が広く、コーティングの堆積速度と厚さ（コーティング領域の状態）を制御しやすく、コーティングの均一性を確保するためのスパッタリングターゲットの形状設計上の制約がありません。薄膜層には液滴粒子の問題がなく、ほぼすべての金属、合金、セラミック材料をターゲット材料として使用できます。DCまたはRFスパッタリングにより、正確で一定の割合の純金属または合金コーティングと、ガス関与型金属反応薄膜を生成でき、薄膜の多様で高精度な要件を満たすことができます。スパッタリングコーティングの一般的なプロセスパラメータは、作業圧力が0.1Pa、ターゲット電圧が300〜700V、ターゲット電力密度が1〜36W/cm²です。スパッタリングの具体的な特徴は次のとおりです。
（１）高い堆積速度。電極の使用により、非常に大きなターゲット衝撃イオン電流が得られるため、ターゲット表面でのスパッタリングエッチング速度と基板表面での膜堆積速度が高くなります。
（2）高効率。低エネルギー電子とガス原子の衝突確率が高いため、ガスの電離率が大幅に向上します。これに伴い、放電ガス（またはプラズマ）のインピーダンスも大幅に低下します。そのため、DC二極スパッタリングと比較して、動作圧力が1～10Paから10-2～10-1Paに低下しても、スパッタリング電圧は数千ボルトから数百ボルトに低下し、スパッタリング効率と堆積速度は桁違いに向上します。
（3）低エネルギースパッタリング。ターゲットに印加されるカソード電圧が低いため、プラズマはカソード近傍の空間に磁場によって束縛され、高エネルギー荷電粒子の基板側面への入射が抑制されます。そのため、半導体デバイスなどの基板への荷電粒子の衝突による損傷は、他のスパッタリング法に比べて低くなります。
–この記事は真空コーティング機メーカー広東省振華。
投稿日時: 2023年9月8日